中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司蘇博獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115989577B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080103574.5，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蘇博;吳漢洙設計研發完成，并于2020-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底、柵極結構、位于柵極結構兩側基底中的源漏摻雜區以及位于柵極結構側部基底上的底部介質層；形成貫穿源漏摻雜區頂部的底部介質層的源漏互連層；在底部介質層上形成頂部介質層；形成貫穿柵極結構頂部的頂部介質層的柵極接觸孔和貫穿源漏互連層頂部的頂部介質層的源漏接觸孔；在柵極接觸孔和源漏接觸孔的側壁形成犧牲側壁層；形成填充柵極接觸孔的柵極插塞以及填充源漏接觸孔的源漏插塞；去除犧牲側壁層形成第一間隙；形成密封第一間隙的密封層，使位于源漏插塞側壁和位于柵極插塞側壁的第一間隙中的至少一個與密封層圍成第一空氣隙。本發明實施例有利于降低柵極插塞與源漏插塞之間的寄生電容。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底； 柵極結構，位于所述基底上； 源漏摻雜區，位于所述柵極結構兩側的基底中； 源漏互連層，位于所述源漏摻雜區的頂部上且與所述源漏摻雜區相接觸； 柵極插塞，位于所述柵極結構的頂部上且與所述柵極結構相接觸； 源漏插塞，位于所述源漏互連層的頂部上且與所述源漏互連層相接觸； 介質層，覆蓋所述柵極插塞和源漏插塞的側壁，并填充于所述柵極插塞與源漏插塞之間； 第一間隙，位于所述源漏插塞的側壁與所述介質層之間，所述第一間隙暴露出源漏插塞的側壁； 密封層，位于所述介質層上且從第一間隙頂部密封所述第一間隙，位于所述源漏插塞側壁的第一間隙與所述密封層圍成第一空氣隙，且所述第一空氣隙位于所述源漏互連層的上方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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