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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社電裝申請的專利半導(dǎo)體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115088080B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980102660.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由齋藤順;片岡惠太;山下侑佑;渡邊行彥;朽木克博;陰泳信設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體裝置，外周區(qū)域具有p型的多個表面耐壓區(qū)域和配置在比上述多個表面耐壓區(qū)域靠下側(cè)的p型的多個深部耐壓區(qū)域。將內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與外周側(cè)表面耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wsm，將上述內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與上述外周側(cè)表面耐壓區(qū)域之間的表面間隔區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度設(shè)為Nsm－3，將位于上述表面耐壓區(qū)域與上述深部耐壓區(qū)域之間的深度范圍內(nèi)的漂移區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度設(shè)為Nvm－3，將上述內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與特定深部耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wv1m，將上述外周側(cè)表面耐壓區(qū)域與特定深部耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wv2m時，滿足NvWv1+Wv22＜Ns·Ws2的關(guān)系。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有： 半導(dǎo)體基板； 與上述半導(dǎo)體基板的上表面相接的上部電極； 與上述半導(dǎo)體基板的下表面相接的下部電極；以及 與上述半導(dǎo)體基板的上述上表面相接的氧化物膜， 上述半導(dǎo)體基板具有元件區(qū)域及外周區(qū)域，在上述元件區(qū)域中上述上部電極與上述半導(dǎo)體基板的上述上表面相接，在上述外周區(qū)域中上述氧化物膜與上述半導(dǎo)體基板的上述上表面相接， 上述外周區(qū)域位于上述元件區(qū)域與上述半導(dǎo)體基板的外周端面之間， 上述元件區(qū)域具有連接在上述上部電極與上述下部電極之間的半導(dǎo)體元件， 上述外周區(qū)域具有p型的多個表面耐壓區(qū)域、p型的多個深部耐壓區(qū)域和n型的漂移區(qū)域， 上述多個表面耐壓區(qū)域與上述氧化物膜相接， 上述多個表面耐壓區(qū)域從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)隔開間隔地配置， 上述多個深部耐壓區(qū)域配置在比上述多個表面耐壓區(qū)域靠下側(cè)， 上述多個深部耐壓區(qū)域從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)隔開間隔地配置， 上述漂移區(qū)域?qū)⑸鲜龆鄠€表面耐壓區(qū)域從上述多個深部耐壓區(qū)域分離，將上述表面耐壓區(qū)域彼此分離，將上述深部耐壓區(qū)域彼此分離， 將位于上述表面耐壓區(qū)域彼此之間的間隔中的上述漂移區(qū)域設(shè)為表面間隔區(qū)域，將位于上述深部耐壓區(qū)域彼此之間的間隔中的上述漂移區(qū)域設(shè)為深部間隔區(qū)域時，上述深部耐壓區(qū)域位于上述表面間隔區(qū)域的正下方，上述深部間隔區(qū)域位于上述表面耐壓區(qū)域的正下方， 各個上述深部耐壓區(qū)域從在內(nèi)周側(cè)與自身相鄰的上述表面耐壓區(qū)域的正下方的位置延伸到在外周側(cè)與自身相鄰的上述表面耐壓區(qū)域的正下方的位置， 將上述多個深部耐壓區(qū)域中的1個設(shè)為特定深部耐壓區(qū)域，將在內(nèi)周側(cè)與上述特定深部耐壓區(qū)域相鄰的上述表面耐壓區(qū)域設(shè)為內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域，將在外周側(cè)與上述特定深部耐壓區(qū)域相鄰的上述表面耐壓區(qū)域設(shè)為外周側(cè)表面耐壓區(qū)域，將上述內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與上述外周側(cè)表面耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wsm，將上述內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與上述外周側(cè)表面耐壓區(qū)域之間的上述表面間隔區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度設(shè)為Nsm－3，將位于上述多個表面耐壓區(qū)域與上述多個深部耐壓區(qū)域之間的深度范圍內(nèi)的上述漂移區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度設(shè)為Nvm－3，將上述內(nèi)周側(cè)表面耐壓區(qū)域與上述特定深部耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wv1m，將上述外周側(cè)表面耐壓區(qū)域與上述特定深部耐壓區(qū)域之間的間隔的寬度設(shè)為Wv2m時， 滿足NvWv1+Wv22＜Ns·Ws2的關(guān)系。

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