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龍圖騰網(wǎng)獲悉季華實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116190217B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310419902.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/205；該發(fā)明授權(quán)一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法是由張南;黃吉裕;郭嘉杰;吳國(guó)發(fā);劉自然;毛朝斌;伍三忠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-04-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法，屬于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，步驟包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅襯底上生長(zhǎng)低速低碳硅比緩沖層；保持硅源流量不變，使碳源流量按關(guān)于時(shí)間的S型曲線增大達(dá)到第二碳源流量，期間形成碳硅比過(guò)渡層；以第一硅源流量和第二碳源流量生長(zhǎng)低速高碳硅比緩沖層；從第一硅源流量增大過(guò)渡至第二硅源流量，且同時(shí)從第二碳源流量增大過(guò)渡至第三碳源流量，期間保持碳硅比不變，形成源流量過(guò)渡層；以第二硅源流量和第三碳源流量生長(zhǎng)出高速外延層。該方法將碳硅比變化過(guò)程和生長(zhǎng)速率變化過(guò)程分離，并且使碳硅比變化過(guò)程的起點(diǎn)和終點(diǎn)附近平滑過(guò)渡，有利于減少三角形缺陷。

本發(fā)明授權(quán)一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種有效減少碳化硅外延層三角形缺陷的方法，應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積工藝，其特征在于，包括以下步驟： 以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅襯底上生長(zhǎng)低速低碳硅比緩沖層； 保持硅源流量不變，逐漸從所述第一碳源流量增大過(guò)渡至第二碳源流量，期間形成碳硅比過(guò)渡層；過(guò)渡模式為，碳硅比是關(guān)于時(shí)間的S型函數(shù)； 以所述第一硅源流量和所述第二碳源流量生長(zhǎng)低速高碳硅比緩沖層； 從所述第一硅源流量增大過(guò)渡至第二硅源流量，且同時(shí)從所述第二碳源流量增大過(guò)渡至第三碳源流量，期間保持碳硅比不變，形成源流量過(guò)渡層； 以所述第二硅源流量和所述第三碳源流量生長(zhǎng)出高速外延層； 所述S型函數(shù)的形式為： 碳硅比=Δr（1+exp（-k*（t-t_mid）Δt））+r1； 其中，Δr=r2-r1，r1為所述第一碳源流量與所述第一硅源流量的碳硅比，r2為所述第二碳源流量與所述第一硅源流量的碳硅比；自變量t表示時(shí)間，單位為分鐘；t_mid=（t1+t2）2，Δt=t2-t1，t1為開始生長(zhǎng)所述碳硅比過(guò)渡層的時(shí)間點(diǎn)，t2為開始生長(zhǎng)所述低速高碳硅比緩沖層的時(shí)間點(diǎn)，單位均為分鐘；k為控制所述S型函數(shù)陡度的調(diào)節(jié)參數(shù)； 所述r1為0.8，所述r2為1.2，所述Δt為2min； 所述k的取值范圍為7至14。

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