西安電子科技大學賈永濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利修形區域確定方法及基于散射分離低散射外形Vivaldi陣列天線獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116435764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310207727.6,技術領域涉及:H01Q1/38;該發明授權修形區域確定方法及基于散射分離低散射外形Vivaldi陣列天線是由賈永濤;劉爍爍;劉英;周澤鵬;聶麗峰設計研發完成,并于2023-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本修形區域確定方法及基于散射分離低散射外形Vivaldi陣列天線在說明書摘要公布了:本發明公開了一種修形區域確定方法,包括:獲取第一電流分布、第二電流分布和第三電流分布;第一電流分布、第二電流分布和第三電流分布是在端射方向同極化波入射的Vivaldi陣列天線端口分別接短路負載、開路負載、匹配負載時,對應仿真得到的Vivaldi陣列天線的金屬輻射貼片表面各個位置的散射電流;根據第一電流分布和第二電流分布,確定金屬輻射貼片的結構項散射電流分布;根據第三電流分布和結構項散射電流分布,確定金屬輻射貼片的模式項散射電流分布;根據結構項散射電流分布與模式項散射電流分布,得到金屬輻射的減縮場分布;根據金屬輻射貼片表面的各個位置的減縮場電流和預設電流閾值,確定金屬輻射貼片的修形區域。
本發明授權修形區域確定方法及基于散射分離低散射外形Vivaldi陣列天線在權利要求書中公布了:1.一種修形區域確定方法,應用于Vivaldi陣列天線,所述Vivaldi陣列天線包括:金屬輻射貼片和微帶線轉帶狀線,其特征在于,所述方法包括: 獲取第一電流分布、第二電流分布和第三電流分布;所述第一電流分布、所述第二電流分布和所述第三電流分布是在端射方向同極化波入射的Vivaldi陣列天線端口分別接短路負載、開路負載、匹配負載時,對應仿真得到的所述金屬輻射貼片表面各個位置的散射電流; 根據所述第一電流分布和所述第二電流分布,確定所述金屬輻射貼片的結構項散射電流分布;所述結構項散射電流分布為所述金屬輻射貼片表面各個位置的結構項散射電流; 根據所述第三電流分布和所述結構項散射電流分布,確定所述金屬輻射貼片的模式項散射電流分布;所述模式項散射電流分布為所述金屬輻射貼片表面各個位置的模式項散射電流; 根據所述結構項散射電流分布與所述模式項散射電流分布,得到所述金屬輻射的減縮場分布;所述減縮場分布為所述金屬輻射貼片表面各個位置的減縮場電流;所述減縮場分布的計算公式如下:,其中,為減縮場分布,為結構項散射電流分布,為模式項散射電流分布;的計算公式為:,其中,為所述第二電流分布,為所述第一電流分布;的計算公式為:,其中,為所述第三電流分布; 根據所述金屬輻射貼片表面的各個位置的減縮場電流和預設電流閾值,確定所述金屬輻射貼片的修形區域,具體包括: 從所述金屬輻射貼片表面的各個位置的減縮場電流中,篩選出大于或等于所述預設電流閾值的減縮場電流; 將大于或等于所述預設電流閾值的減縮場電流對應的位置所構成的區域,作為待選區域; 將所述待選區域中除所述微帶線轉帶狀線對應區域和Vivaldi陣列天線的槽線區域之外的區域,作為所述金屬輻射貼片的修形區域。
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