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龍圖騰網(wǎng)獲悉中山大學;新啟航半導體有限公司申請的專利一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116207614B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211608043.9，技術(shù)領域涉及：H01S5/343；該發(fā)明授權(quán)一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片是由朱海;鄭湖穎;王亞琪;王潤晨;王競卓;王庭云設計研發(fā)完成，并于2022-12-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片，包括兩個第一n型電極、第一n?GaN二維拓撲光子晶體、n?InGaN層、InGaN量子阱有源層、p?InGaN層、p?AlGaN阻攔層、p?GaN注入層、n+?GaN層、第二n型電極、兩個絕緣有機物；兩個所述的絕緣有機物呈水平設置，所述的n?InGaN層、InGaN量子阱有源層、p?InGaN層、p?AlGaN阻攔層、p?GaN注入層、n+?GaN層由下到上依次疊加設置，均位于兩個所述的絕緣有機物之間，且與絕緣有機物連接；兩個絕緣有機物均設置在所述的第一n?GaN二維拓撲光子晶體的頂部，且所述的第一n?GaN二維拓撲光子晶體的頂部還與n?InGaN層的底部連接；所述的第一n型電極設置在第一n?GaN二維拓撲光子晶體的頂部，且位于絕緣有機物的正下方；所述的第二n型電極的底部同時與絕緣有機物的頂部、n+?GaN層的頂部連接。

本發(fā)明授權(quán)一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種強耦合電注入GaN基半導體拓撲微腔polariton激光芯片，其特征在于：所述的激光芯片包括兩個第一n型電極（1）、第一n-GaN二維拓撲光子晶體（2）、n-InGaN層（3）、InGaN量子阱有源層（4）、p-InGaN層（5）、p-AlGaN阻攔層（6）、p-GaN注入層（7）、n+-GaN層（8）、第二n型電極（9）、兩個絕緣有機物（10）； 兩個所述的絕緣有機物（10）呈水平設置，所述的n-InGaN層（3）、InGaN量子阱有源層（4）、p-InGaN層（5）、p-AlGaN阻攔層（6）、p-GaN注入層（7）、n+-GaN層（8）由下到上依次疊加設置，均位于兩個所述的絕緣有機物（10）之間，且與絕緣有機物（10）連接； 兩個絕緣有機物（10）均設置在所述的第一n-GaN二維拓撲光子晶體（2）的頂部，且所述的第一n-GaN二維拓撲光子晶體（2）的頂部還與n-InGaN層（3）的底部連接； 所述的第一n型電極（1）設置在第一n-GaN二維拓撲光子晶體（2）的頂部，且位于絕緣有機物（10）的正下方； 所述的第二n型電極（9）的底部同時與絕緣有機物（10）的頂部、n+-GaN層（8）的頂部連接； 所述的激光芯片還包括第二n-GaN二維拓撲光子晶體（11）； 所述的第二n-GaN二維拓撲光子晶體（11）的底部與n+-GaN層（8）的頂部連接； 所述的第二n-GaN二維拓撲光子晶體（11）的兩端分別與一個第二n型電極（9）的側(cè)邊連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中山大學;新啟航半導體有限公司，其通訊地址為：510275 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。