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龍圖騰網獲悉重慶斯太寶科技有限公司申請的專利一種高精度溫度傳感器芯片自動測試系統及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115790907B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211526470.2，技術領域涉及：G01K15/00；該發明授權一種高精度溫度傳感器芯片自動測試系統及方法是由胡軼;王志剛設計研發完成，并于2022-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高精度溫度傳感器芯片自動測試系統及方法在說明書摘要公布了：本發明涉及傳感器技術領域，具體公開一種高精度溫度傳感器芯片自動測試系統及方法，方法包括S1、被測芯片和標準芯片在室溫溫場下的電阻值進行測量，并計算出對應的室溫下的電阻差值；S2、將對應的被測芯片和標準芯片放到溫場內進行加熱，使其達到短期熱平衡；所述溫場的溫度為動態變化的溫度曲線；S3、測量并計算被測芯片和標準芯片在高溫下的電阻差值；S4、根據對應的高溫電阻差值和室溫電阻差值，對被測芯片進行標定。本方案能夠降低測試過程中對溫場的均勻性和穩定性的要求，實現對芯片的快速測量，從而提高溫度傳感器芯片檢測的效率。

本發明授權一種高精度溫度傳感器芯片自動測試系統及方法在權利要求書中公布了：1.一種高精度溫度傳感器芯片自動測試方法，其特征在于：包括以下步驟： S1、被測芯片和標準芯片在室溫下的電阻值進行測量，并計算出對應的室溫下的電阻差值；所述被測芯片包括貼片式鉑熱敏電阻芯片和帶引線式鉑熱敏電阻芯片；所述室溫是動態變化的，具體溫度數值根據環境實況呈隨機性體現；所述室溫下測量被測芯片和標準芯片電阻值不需要達到熱平衡； S2、將對應的被測芯片和標準芯片放到溫場內進行加熱，使其達到短期熱平衡；所述溫場的溫度為動態變化的溫度曲線； S3、測量并計算被測芯片和標準芯片在高溫下的電阻差值； S4、根據對應的高溫電阻差值和室溫電阻差值，對被測芯片進行標定； 所述S4包括： S40、根據室溫電阻差值和標準芯片在高溫下的電阻差值，判斷出該被測芯片在高溫下所對應的等級； S41、根據被測芯片在室溫下所對應的等級和在高溫下所對應的等級，利用最終的等級評判標準，判斷出該被測芯片的最終的等級； 所述被測芯片室溫下的各個等級的判斷準則為： 等級A,-0.05Ω≤△R室溫≤0.05Ω； 等級B,-0.11Ω≤△R室溫≤0.11Ω； 等級C,-0.5Ω≤△R室溫≤0.5Ω； 所述被測芯片高溫下的各個等級的判斷準則為： 等級A，（R+△R室溫）×（0.003845×t+1）-Rt標≤△Rt≤（R+△R室溫）×（0.003856×t+1）-Rt標，t=Rt標-R0.3851； 等級B，（R+△R室溫）×（0.003840×t+1）-Rt標≤△Rt≤（R+△R室溫）×（0.003862×t+1）-Rt標,t=Rt標-R0.3851； 等級C，（R+△R室溫）×（0.003826×t+1）-Rt標≤△Rt≤（R+△R室溫）×（0.003876×t+1）-Rt標，t=Rt標-R0.3851； 式中，R室溫是指被測芯片在室溫下的測試值，R常標是指在室溫下標準芯片的測試值，△R室溫是指被測芯片與標準芯片在室溫下測試值的差值即△R室溫=R室溫-R常標；Rt是指被測芯片在高溫t下的測試值，Rt標是指在高溫t下標準芯片的測試值，△Rt是指被測芯片與標準芯片在高溫t下測試值的差值,即△Rt=Rt-Rt標；R為芯片的標稱電阻值； 最終的等級評判標準為：△R室溫，△Rt需同時滿足等級A要求，才能分揀到等級A,△R室溫，△Rt需同時滿足等級B要求或其中一個為A，另一個為B,分揀到等級B,△R室溫，△Rt需同時滿足等級C要求或其中一個為A，另一個為C或其中一個為B另一個為C,分揀到等級C。

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