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龍圖騰網獲悉上海芯元基半導體科技有限公司申請的專利RGB陣列芯片制備方法及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115602766B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211317293.7，技術領域涉及：H10H20/81；該發明授權RGB陣列芯片制備方法及芯片是由郝茂盛;陳朋;袁根如;張楠;馬后永;馬艷紅;岑崗;魏帥帥設計研發完成，并于2022-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本RGB陣列芯片制備方法及芯片在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片制備領域，公開了一種RGB陣列芯片制備方法及芯片，通過本發明所公布的RGB陣列芯片制備方法所制備的RGB陣列芯片中，通過單一外延結構、綠光以及紅光量子點的模式，直接做出一顆RGB陣列芯片，該RGB陣列芯片能與對應顯示模塊直接完成線路連接及封裝，使得micro全彩LED芯片集成方案效率大幅提升，大幅降低了全彩micro的顯示成本。

本發明授權RGB陣列芯片制備方法及芯片在權利要求書中公布了：1.一種RGB陣列芯片制備方法，其特征在于，包括： S1：提供一DPSS襯底，所述DPSS襯底包括生長基底以及位于所述生長基底上的圖形化的掩膜層，并在所述DPSS襯底的圖形化的掩膜層上進行外延生長，形成外延層；所述外延層包括由下往上依次形成在所述DPSS襯底上的過渡層、N型外延層、發光層以及P型外延層； S2：在所述外延層上進行刻蝕，以在所述外延層上形成多個臺階并形成第一溝槽；所述第一溝槽貫穿所述外延層以及所述掩膜層直至所述生長基底，以形成多個LED像素單元； S3：在所述臺階上制備第一導電層，以及在所述第一導電層上制備第一P電極； S4：將所述第一P電極粘合至一臨時基板上，并去除所述生長基底； S5：對所述外延層進行減薄處理； S6：將減薄后的外延層與一二次襯底鍵合； S7：對所述二次襯底進行刻蝕，以在所述二次襯底上形成第二溝槽；所述第二溝槽的位置與所述外延層上的第一溝槽的位置相錯開； S8：在所述第二溝槽的內壁上制備反射鏡，并在所述第二溝槽內填充量子點材料； S9：去除所述臨時基板； S10：在所述N型外延層的側面和所述發光層的側面制備若干第一N電極； S11：提供一CMOS基板，所述CMOS基板上包括若干第二P電極以及若干第二N電極；并將所述第一P電極與所述第二P電極對應鍵合，第一N電極與所述第二N電極對應鍵合，得到RGB陣列芯片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海芯元基半導體科技有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祥科路111號3號樓507-2室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。