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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115498020B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211327296.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由房育濤;劉庭;付汝起;葉念慈;張潔設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-10-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：襯底；半導(dǎo)體層，其設(shè)置在襯底上并包括第一半導(dǎo)體疊層和設(shè)置在第一半導(dǎo)體疊層上的第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體疊層和第二半導(dǎo)體層之間的界面處形成有二維電子氣；設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上且間隔布置的源極、漏極和柵極；金屬層，其設(shè)置半導(dǎo)體層內(nèi)并位于襯底與二維電子氣之間；電連接結(jié)構(gòu)，其從柵極向半導(dǎo)體層內(nèi)延伸并與金屬層連接；第一阻隔結(jié)構(gòu)，其至少部分地設(shè)在金屬層與二維電子氣之間及電連接結(jié)構(gòu)與二維電子氣之間；第二阻隔結(jié)構(gòu)，與第一阻隔結(jié)構(gòu)相連且覆蓋在金屬層的側(cè)面。該半導(dǎo)體器件能夠有效降低HEMT器件高電壓下柵極的電場強度，從而提高器件的擊穿電壓。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 襯底； 半導(dǎo)體層，其設(shè)置在襯底上，所述半導(dǎo)體層包括：第一半導(dǎo)體疊層和設(shè)置在第一半導(dǎo)體疊層上的第二半導(dǎo)體層；所述第一半導(dǎo)體疊層和第二半導(dǎo)體層之間的界面處形成有二維電子氣； 設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上且間隔布置的源極、漏極和柵極； 金屬層，其設(shè)置半導(dǎo)體層內(nèi)并位于所述襯底與二維電子氣之間； 電連接結(jié)構(gòu)，其從所述柵極向所述半導(dǎo)體層內(nèi)延伸并與所述金屬層連接，用于將所述金屬層電連接至所述柵極； 第一阻隔結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，用于將所述金屬層和所述電連接結(jié)構(gòu)與所述二維電子氣進(jìn)行絕緣性隔離； 第二阻隔結(jié)構(gòu)，與所述第一阻隔結(jié)構(gòu)相連且覆蓋在所述金屬層的側(cè)面，其中，所述側(cè)面與所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)相鄰。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市長沙高新開發(fā)區(qū)長興路399號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。