華虹半導體(無錫)有限公司王德鑫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115528032B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211246952.2，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法是由王德鑫;馬強;米琳;寧威;高駿;吳志濤;韓笑設計研發完成，并于2022-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法，包括：提供一襯底，襯底分為核心區和外圍區，核心區上形成有多個閃存柵結構；沉積硬掩模層，覆蓋核心區和外圍區；刻蝕硬掩模層，在核心區的硬掩模層中形成多個條狀溝槽；沉積字線多晶硅層，覆蓋硬掩模層并填滿多個條狀溝槽；研磨字線多晶硅層和硬掩模層至硬掩模層的厚度比預定厚度多出預留部分時終止；實施浸泡工藝去除硬掩模層的預留部分。通過先將硬掩模層研磨至比預定厚度多出預留部分再實施浸泡工藝去除該預留部分的方式，提高字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度的均勻性，減少后續刻蝕硬掩模層時硬掩模層的殘留。
本發明授權改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善字線多晶硅層研磨后硬掩模層厚度均勻性的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一襯底，所述襯底分為核心區和外圍區，所述核心區上形成有多個閃存柵結構； 沉積硬掩模層，覆蓋所述核心區和所述外圍區； 刻蝕所述硬掩模層，在所述核心區的硬掩模層中形成多個條狀溝槽； 沉積字線多晶硅層，覆蓋所述硬掩模層并填滿所述多個條狀溝槽； 研磨所述字線多晶硅層和所述硬掩模層至所述硬掩模層的厚度比預定厚度多出預留部分時終止； 實施浸泡工藝去除所述硬掩模層的預留部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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