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龍圖騰網(wǎng)獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111640705B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910925253.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法是由賴惠先;童宇誠;林昭維;朱家儀;呂前宏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法，通過本發(fā)明提供的掩模版組合，來定義接觸插塞的形成位置，以使得核心區(qū)邊界處的部分有源區(qū)的上方無接觸插塞，而核心區(qū)邊界處的其他有源區(qū)以及核心區(qū)內(nèi)部的有源區(qū)的上方均有接觸插塞，由此，后續(xù)再采用現(xiàn)有工藝在核心區(qū)的內(nèi)部和邊界處形成相應(yīng)的電學(xué)結(jié)構(gòu)時(shí)，使得核心區(qū)邊界處的部分電學(xué)結(jié)構(gòu)因其下方?jīng)]有與有源區(qū)接觸的接觸插塞而變?yōu)樘摂M結(jié)構(gòu)，由此可以避免制造出來的半導(dǎo)體器件因核心區(qū)邊界處的電學(xué)結(jié)構(gòu)的問題而導(dǎo)致不能通過相關(guān)測試的問題，繼而提高了制得的半導(dǎo)體器件的性能和合格率。

本發(fā)明授權(quán)掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種掩模板組合，用于制作接觸插塞，其特征在于，所述掩模板組合包括： 第一掩模板，具有多條平行的第一遮光條紋，相鄰的兩條第一遮光條紋之間為第一透光區(qū)； 第二掩模板，具有多條平行且與每條第一遮光條紋相交的第二遮光條紋，相鄰的兩條第二遮光條紋之間為第二透光區(qū)； 第三掩模板，具有遮光塊和與遮光塊互補(bǔ)的第三透光區(qū)，所述遮光塊具有面向所述第三掩模板中心的鋸齒狀邊緣，以覆蓋所述第一掩模板的邊界處的至少一條第一遮光條紋和該條第一遮光條紋最近鄰的部分第一透光區(qū)，以及，覆蓋所述第二掩模板的邊界處的至少兩條第二遮光條紋以及所述兩條第二遮光條紋之間的部分第二透光區(qū)，第三透光區(qū)、第一透光區(qū)和第二透光區(qū)的重疊區(qū)域?yàn)樾纬山佑|插塞的區(qū)域； 其中，在通過所述第一掩模板、所述第二掩模板和所述第三掩模板的組合來定義接觸插塞的形成位置時(shí)，利用第三掩模板的鋸齒狀邊緣來掩蔽待制造的半導(dǎo)體器件的核心區(qū)邊界處易出問題的有源區(qū)，使其上方無接觸插塞形成，同時(shí)暴露出所述待制造的半導(dǎo)體器件的核心區(qū)邊界處其他有源區(qū)位置，使其上方有接觸插塞形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。