法國原子能及替代能源委員會;意法半導體股份有限公司P·G·卡佩萊蒂獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉法國原子能及替代能源委員會;意法半導體股份有限公司申請的專利存儲器器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110828660B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910726371.0，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權存儲器器件是由P·G·卡佩萊蒂;G·納瓦羅設計研發完成，并于2019-08-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器器件在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及存儲器器件。一種相變存儲器單元在至少第一部分中包括至少一個鍺層的堆疊，該至少一個鍺層的堆疊被由鍺、銻和碲的第一合金制成的至少一層覆蓋。在編程狀態下，由于將堆疊的一部分加熱到足夠的溫度，鍺層的一部分和第一合金的層的一部分形成由鍺、銻和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的鍺濃度。
本發明授權存儲器器件在權利要求書中公布了：1.一種存儲器器件，包括： 絕緣層，包括與第一相變存儲器單元相關聯的第一電阻加熱元件、以及與第二相變存儲器單元相關聯的第二電阻加熱元件； 層的堆疊，在所述第一電阻加熱元件和所述第二電阻加熱元件上方延伸，所述堆疊包括： 第一層，由鍺、銻和碲的第一合金制成； 鍺層，在由所述第一合金制成的所述第一層上方；以及 第二層，在所述鍺層上方，由第一合金制成；以及 其中所述堆疊包括與所述第二電阻加熱元件接觸的區域，所述區域由鍺、銻和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金高的鍺濃度，并且所述第二電阻加熱元件耦合到導電通孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人法國原子能及替代能源委員會;意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：法國巴黎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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