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龍圖騰網獲悉上海芯元基半導體科技有限公司申請的專利陣列micro芯片制備方法及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115458643B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211235611.5，技術領域涉及：H10H29/01；該發明授權陣列micro芯片制備方法及芯片是由郝茂盛;陳朋;袁根如;張楠;馬后永;馬艷紅;岑崗;魏帥帥設計研發完成，并于2022-10-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本陣列micro芯片制備方法及芯片在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片制備領域，公開了一種陣列micro芯片制備方法及芯片，該方法能解決在剝離藍寶石襯底過程中導致外延層損傷的問題。該制備方法通過第一通孔與第二通孔的設計，有效解決了芯片尺寸過大的問題，通過分割芯片，使得在剝離大面積芯片時應力得到緩解；并且通過所述第一通孔與所述第二通孔，使得在用化學濕法剝離技術時，化學藥液進入路徑變短，達到使芯片上的可以實現同步均勻剝離的目的，最終提高陣列micro芯片的成品率。

本發明授權陣列micro芯片制備方法及芯片在權利要求書中公布了：1.一種陣列micro芯片制備方法，其特征在于，包括： S1：提供一DPSS襯底，所述DPSS襯底包括生長基底以及位于所述生長基底上的圖形化的掩膜層，并在所述DPSS襯底的圖形化的掩膜層上進行外延生長，形成外延層；所述外延層包括由下往上依次形成在所述DPSS襯底上的過渡層、N型外延層、發光層以及P型外延層； S2：對所述外延層進行刻蝕，以在所述外延層上形成一貫穿所述過渡層、所述P型外延層、發光層以及N型外延層的第一通孔； S3：在所述第一通孔以及所述外延層上覆蓋第一導電層；并在所述第一導電層上形成第一絕緣層； S4：對所述第一絕緣層進行刻蝕，以形成貫穿所述第一絕緣層的第二通孔；其中，所述第一通孔與所述第二通孔的位置相互錯開； S5：沉積第二導電層，所述第二導電層填充所述第二通孔并覆蓋所述第一絕緣層；對所述第二通孔內的第二導電層進行刻蝕，以去除第二通孔內的第二導電層，并繼續刻蝕至所述第二通孔貫穿所述第一導電層停留在所述外延層上； S6：沉積第三導電層，所述第三導電層填充所述第二通孔并覆蓋所述第二導電層； S7：將所述第三導電層粘合至一轉移基板上； S8：剝離所述DPSS襯底； S9：對所述N型外延層進行減薄處理，并在對應的第一通孔內填充絕緣材料； S10：在所述外延層未填充所述絕緣材料的區域，制備像素點，所述像素點的位置與所述第二通孔的位置一致； S11：去除未填充所述絕緣材料以及非所述像素點的外延層，并在去除外延層的區域內填充絕緣反射材料； S12：在所述像素點上制備第一N電極以及在所述絕緣反射材料周圍制備第一P電極； S13：將所述第一N電極與所述第一P電極分別與一CMOS基板上的第二N電極與第二P電極進行鍵合，形成所述陣列micro芯片。

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