日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司廖國成獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111081651B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910988197.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法是由廖國成;丁一權(quán)設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-10-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法在說明書摘要公布了：一種封裝襯底包含第一介電層、第一圖案化導(dǎo)電層及第一組對準標記。所述第一圖案化導(dǎo)電層安置在所述第一介電層上。所述第一組對準標記安置在所述第一介電層上且鄰近所述第一介電層的第一邊緣。所述第一組對準標記包含多個對準標記。所述第一組對準標記中的所述對準標記與所述第一邊緣之間的距離彼此不同。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種封裝襯底，其包括： 第一介電層； 第一圖案化導(dǎo)電層，其安置在所述第一介電層上；及 第一組對準標記，其安置在所述第一介電層上且鄰近所述第一介電層的第一邊緣，所述第一組對準標記包含多個對準標記，其中所述第一組對準標記中的所述多個對準標記與所述第一邊緣之間的距離彼此不同； 第二介電層，其安置在所述第一介電層上且覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)電層； 第二圖案化導(dǎo)電層，其安置在所述第二介電層上；及 第二組對準標記，其安置在所述第二介電層上且鄰近所述第二介電層的第二邊緣，所述第二組對準標記包含多個對準標記，其中所述第二組對準標記中的所述多個對準標記與所述第二邊緣之間的距離彼此不同。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號郵編81170；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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