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龍圖騰網(wǎng)獲悉中晟鯤鵬光電半導(dǎo)體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申請的專利一種碳化硅晶圓切片工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115958308B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211039735.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B23K26/38；該發(fā)明授權(quán)一種碳化硅晶圓切片工藝是由嚴(yán)立巍設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種碳化硅晶圓切片工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及碳化硅晶圓切片技術(shù)領(lǐng)域，具體的是一種碳化硅晶圓切片工藝，本發(fā)明包括以下步驟：S1、取一個厚度為4?6cm的碳化硅晶錠，在碳化硅晶錠的中心位置采用隱形激光切割，形成兩個厚度為2?3cm的碳化硅晶柱，然后對兩個碳化硅晶柱進(jìn)行分離，得到兩個厚度一致碳化硅晶柱，通過對碳化硅晶錠采用激光隱形切割進(jìn)行對半切割，可以得到256片厚度一致碳化硅薄片，不但可以使得碳化硅晶錠切割成碳化硅晶柱時不產(chǎn)生損耗，只產(chǎn)生最終對碳化硅薄片進(jìn)行打磨時的損耗，能夠降低切片產(chǎn)生的損耗，得到更多的碳化硅薄片，而且所有切割剝離得到的碳化硅薄片可以統(tǒng)一進(jìn)行研磨拋光，有效的簡化了加工工藝，提高了生產(chǎn)效率。

本發(fā)明授權(quán)一種碳化硅晶圓切片工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅晶圓切片工藝，其特征在于，包括以下步驟： S1、取一個厚度為4-6cm的碳化硅晶錠，在碳化硅晶錠的中心位置采用隱形激光切割，形成兩個厚度為2-3cm的碳化硅晶柱，然后對兩個碳化硅晶柱進(jìn)行分離，得到兩個厚度一致碳化硅晶柱； S2、對步驟S1中得到的所有碳化硅晶柱作為新的碳化硅晶錠使用，重復(fù)返回步驟S1，直至所得到的碳化硅晶柱厚度為D，300≤D≤500μm； S3、對步驟S2中得到的厚度為D的碳化硅晶柱，在碳化硅晶錠的中心位置采用激光隱形切割，形成兩個厚度一致的碳化硅薄片，最后通過黏著劑在碳化硅薄片兩面鍵合玻璃載板； S4、對步驟S3中得到的碳化硅薄片，從其中一個玻璃載板表面進(jìn)行加熱，然后再快速冷卻，最后使用吸盤對上方玻璃載板進(jìn)行吸附，對兩個碳化硅薄片進(jìn)行分離，形成兩個獨立的厚度碳化硅薄片； S5、對步驟S4中得到的所有的碳化硅薄片斷面處進(jìn)行研磨拋光，形成兩面均為平面的碳化硅薄片； 在所述步驟S1中，隱形激光切割會在碳化硅晶錠的中心位置形成等距的損傷即可在碳化硅晶柱內(nèi)部形成一個分子鍵被破壞的改質(zhì)層，以使得碳化硅晶錠的連接變的脆弱而易于分開； 在所述步驟S1中，對兩個碳化硅晶柱進(jìn)行分離時，首先采用熱媒接觸進(jìn)行加熱，然后采用冷媒接觸進(jìn)行迅速冷卻，以斷開碳化硅晶錠，形成兩個厚度一致的碳化硅晶柱； 在所述步驟S3中，通過黏著劑在兩個碳化硅薄片表面鍵合玻璃載板的工藝為：首先在碳化硅晶圓表面涂布黏著劑，將一個玻璃載板鍵合到碳化硅晶圓涂布黏著劑的表面，然后翻轉(zhuǎn)碳化硅晶圓和玻璃載板，在碳化硅晶圓另一面涂布黏著劑，并且通過黏著劑鍵合另一個玻璃載板，以實現(xiàn)在碳化硅薄片兩面鍵合玻璃載板。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中晟鯤鵬光電半導(dǎo)體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科苑路16號東方科技大廈1905；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。