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龍圖騰網(wǎng)獲悉鄭州大學(xué)申請的專利柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga₂O₃微米線光電探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115498061B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210989059.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/282；該發(fā)明授權(quán)柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga₂O₃微米線光電探測器及其制備方法是由張重陽;楊珣;單崇新設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-08-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga₂O₃微米線光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga2O3微米線光電探測器及其制備方法，光電探測器包括襯底，襯底上從下到上依次設(shè)置有Sn摻雜Ga2O3微米線層、絕緣層和柵極，Sn摻雜Ga2O3微米線層一側(cè)的襯底上設(shè)置有源極，另一側(cè)的襯底上設(shè)置有漏極。本發(fā)明通過柵電壓來調(diào)控光生空穴從而改變肖特基勢壘的方法，從而實(shí)現(xiàn)了高響應(yīng)Sn摻雜Ga2O3微米線光電探測器的制備。

本發(fā)明授權(quán)柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga₂O₃微米線光電探測器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.柵極調(diào)控的高響應(yīng)Sn摻雜Ga2O3微米線光電探測器，包括襯底，其特征在于：襯底上從下到上依次設(shè)置有Sn摻雜Ga2O3微米線層、絕緣層和柵極，Sn摻雜Ga2O3微米線層一側(cè)的襯底上設(shè)置有源極，另一側(cè)的襯底上設(shè)置有漏極； 源極和漏極均包括50～100納米厚的Ti層，Ti層的上側(cè)設(shè)有40-90納米厚的Au層；源極和漏極的間距為5-15微米； 柵極包括40～60納米厚的Ni層，Ni層的上側(cè)設(shè)置有80～120納米厚的Au層；柵極的長度2～8微米，寬度0.8～5微米； Sn摻雜Ga2O3微米線直徑為0.8～5微米； 絕緣層為Al2O3絕緣層；襯底為Al2O3襯底，襯底的厚度為300～400微米。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人鄭州大學(xué)，其通訊地址為：450001 河南省鄭州市高新區(qū)科學(xué)大道100號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。