九識(shí)(蘇州)智能科技有限公司張旭琛獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉九識(shí)(蘇州)智能科技有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115274588B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210917621.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/473;該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法是由張旭琛設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-08-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法,所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面,所述第二表面上形成有器件層;所述第一表面和所述第二表面之間形成有至少一個(gè)凹槽,所述凹槽用于容納冷卻液。根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件及其制作方法,在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成用于容納冷卻液的凹槽,利用芯片內(nèi)水冷的方法降低芯片的核心溫度、提高芯片的散熱效果,進(jìn)而提高了芯片的峰值功率和性能。
本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括: 第一半導(dǎo)體襯底,所述第一半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面,所述第二表面上形成有器件層; 所述第一表面和所述第二表面之間形成有至少一個(gè)凹槽,所述凹槽用于容納冷卻液;所述凹槽位于所述第一半導(dǎo)體襯底的所述第一表面一側(cè); 進(jìn)水口和出水口,所述進(jìn)水口和所述出水口形成在所述第一半導(dǎo)體襯底的所述第二表面一側(cè)以及所述器件層中,所述進(jìn)水口和所述出水口連接至所述凹槽; 第二半導(dǎo)體襯底,所述第二半導(dǎo)體襯底接合在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一表面上并覆蓋所述凹槽; 封裝襯底,所述封裝襯底接合至所述器件層,所述進(jìn)水口和所述出水口設(shè)置在所述器件層與所述封裝襯底的接合處; 在所述封裝襯底內(nèi)形成有一個(gè)或多個(gè)管道,所述進(jìn)水口和所述出水口分別連接至所述一個(gè)或多個(gè)管道。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人九識(shí)(蘇州)智能科技有限公司,其通訊地址為:215124 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道88號(hào)人工智能產(chǎn)業(yè)園G4-202-010單元;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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