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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢華星光電技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及電子器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115274861B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210893971.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及電子器件是由李治福;劉廣輝;艾飛;宋德偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-07-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及電子器件在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及電子器件，該半導(dǎo)體器件包括絕緣基底、及位于絕緣基底上的薄膜晶體管層，薄膜晶體管層包括設(shè)置于絕緣基底上的第一有源層、及位于第一有源層上的第一絕緣層，第一絕緣層形成有凸臺；其中，本申請通過設(shè)置薄膜晶體管層還包括設(shè)置于凸臺兩側(cè)壁及上表面的第二有源層和第三有源層，第一有源層的一端與第二有源層連接，第一有源層的另一端與第三有源層連，從而減小了溝道長度，降低短溝道效應(yīng)，提升了開態(tài)電流，降低了功耗；并且進一步縮小薄膜晶體管的面積，提升了電子器件的集成度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及電子器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 絕緣基底； 薄膜晶體管層，設(shè)置于所述絕緣基底上，所述薄膜晶體管層包括： 第一有源層，設(shè)置于所述絕緣基底上； 第一絕緣層，設(shè)置于所述第一有源層上，所述第一絕緣層形成有凸臺； 第一金屬層，位于所述凸臺上表面，所述第一金屬層包括源極和漏極； 其中，所述薄膜晶體管層還包括設(shè)置于所述凸臺兩側(cè)壁及上表面的第二有源層和第三有源層，所述第一有源層的一端與所述第二有源層連接，所述第一有源層的另一端與所述第三有源層連接；所述源極位于所述第二有源層和所述凸臺之間，所述漏極位于所述第三有源層和所述凸臺之間，所述源極與所述第二有源層連接，所述漏極與所述第三有源層連接。

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