買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉成都愛旗科技有限公司申請的專利一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115296283B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210868716.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H9/04；該發(fā)明授權(quán)一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-07-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路，涉及芯片防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有芯片防護(hù)電路不能同時對IO端口及電源端口受到的ESD沖擊或us級沖擊進(jìn)行防護(hù)的問題。所述增強防護(hù)電路包括：泄放支路，設(shè)置在IO端口與地之間以及電源端口與地之間，用于在IO端口或電源端口受到?jīng)_擊時泄放電流；控制支路，包括一級控制支路和二級控制支路，二級控制支路用于控制一級控制支路是否導(dǎo)通，一級控制支路用于控制泄放支路是否導(dǎo)通；檢測支路，用于在檢測到IO端口及電源端口受到ESD沖擊或us級沖擊時，觸發(fā)控制支路，控制支路控制泄放支路泄放電流。本發(fā)明提供的增強防護(hù)電路用于泄放來自芯片IO端口及電源端口的能量沖擊，對芯片內(nèi)部電路進(jìn)行保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種芯片的IO端口及電源端口增強防護(hù)電路，其特征在于，包括： 泄放支路，設(shè)置在IO端口與地之間以及電源端口與地之間，用于在所述IO端口或所述電源端口受到?jīng)_擊時泄放電流；所述沖擊包括ESD沖擊或us級沖擊； 控制支路，包括一級控制支路和二級控制支路，所述二級控制支路用于控制所述一級控制支路是否導(dǎo)通，所述一級控制支路用于控制所述泄放支路是否導(dǎo)通； 檢測支路，包括第一檢測支路和第二檢測支路，所述第一檢測支路用于在檢測到所述IO端口或所述電源端口受到ESD沖擊時，觸發(fā)所述一級控制支路，所述一級控制支路控制所述泄放支路對所述ESD沖擊泄放電流；所述第二檢測支路用于在檢測到所述IO端口或所述電源端口受到us級沖擊時，觸發(fā)所述二級控制支路，所述二級控制支路控制所述一級控制支路導(dǎo)通，所述一級控制支路控制所述泄放支路對所述us級沖擊泄放電流； 所述泄放支路包括第一功率管、第二功率管以及第三功率管，所述第一功率管為NMOS管，所述第二功率管和所述第三功率管為二極管；所述第一功率管的漏極與所述電源端口相連，所述第二功率管的正極與所述第三功率管的負(fù)極相連，所述第一功率管設(shè)置在所述電源端口與地之間，所述第二功率管設(shè)置在所述電源端口與所述IO端口之間，所述第三功率管設(shè)置在所述IO端口與地之間；所述一級控制支路包括第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管，所述第一場效應(yīng)管是PMOS管，所述第二場效應(yīng)管是NMOS管，所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管串聯(lián)；所述二級控制支路包括限流電阻、分壓電阻以及三極管，所述三極管的集電極與所述一級控制支路相連，所述限流電組串聯(lián)連接所述三極管的基電極，所述分壓電阻與所述三極管并聯(lián)，所述分壓電阻與所述限流電阻并聯(lián)；所述第一檢測支路包括電阻和電容，所述電阻與所述電容串聯(lián)，所述電阻與所述電容串聯(lián)連接處連接所述三極管的集電極，所述電阻與所述第一場效應(yīng)管并聯(lián)，所述電阻連接所述電源端口，所述電容接地；所述電阻用于為所述第一場效應(yīng)管提供分壓電壓使所述第一場效應(yīng)管導(dǎo)通；所述第二檢測支路包括IO檢測支路和電源檢測支路，所述IO檢測支路連接所述IO端口和所述二級控制支路，所述IO檢測支路包括第一齊納二極管和第一二極管，所述第一齊納二極管的負(fù)極連接所述IO端口，所述第一齊納二極管的正極連接所述第一二極管的正極，當(dāng)所述IO端口受到us級沖擊時，所述第一齊納二極管反向擊穿導(dǎo)通，觸發(fā)所述二級控制支路導(dǎo)通，所述第一齊納二極管的閾值電壓大于芯片工作電壓的峰值；所述電源檢測支路包括第二齊納二極管和第二二極管，所述第二齊納二極管的負(fù)極連接所述電源端口，所述第二齊納二極管的正極連接所述第二二極管的正極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人成都愛旗科技有限公司，其通訊地址為：610094 四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天華二路219號C12棟17層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。