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龍圖騰網(wǎng)獲悉三菱電機(jī)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利晶片托、半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115346908B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210491103.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/687；該發(fā)明授權(quán)晶片托、半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由武田直幸;田中博司設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本晶片托、半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供在將半導(dǎo)體晶片相對(duì)于載體內(nèi)取放時(shí)，能夠抑制半導(dǎo)體晶片與晶片托在意料外的部位接觸的晶片托。還涉及半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。在晶片托處，兩個(gè)承載部在第1方向上排列配置，兩個(gè)承載部經(jīng)由接合部連接，兩個(gè)承載部各自從接合部向與第1方向正交的第2方向延伸，兩個(gè)承載部各自的朝向與第2方向交叉的方向側(cè)且彼此相對(duì)的側(cè)面間的間隔大于或等于170mm，兩個(gè)承載部各自的朝向與第2方向交叉的方向側(cè)且彼此朝向與對(duì)方相反側(cè)的側(cè)面彼此的間隔小于或等于280mm，在將兩個(gè)承載部的內(nèi)側(cè)側(cè)面的距離設(shè)為Amm，將兩個(gè)承載部的內(nèi)側(cè)側(cè)面的第2方向上的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)mm的情況下，L≥3002?A20 . 5的關(guān)系成立。

本發(fā)明授權(quán)晶片托、半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶片托，其具有接合部和兩個(gè)承載部， 所述兩個(gè)承載部在第1方向上排列配置， 所述兩個(gè)承載部經(jīng)由所述接合部連接， 所述兩個(gè)承載部各自從所述接合部向與所述第1方向正交的第2方向延伸， 所述兩個(gè)承載部各自的朝向與所述第2方向交叉的方向側(cè)且彼此相對(duì)的側(cè)面間的間隔大于或等于170mm， 所述兩個(gè)承載部各自的朝向與所述第2方向交叉的方向側(cè)且彼此朝向與對(duì)方相反側(cè)的側(cè)面彼此的間隔小于或等于280mm， 在將所述兩個(gè)承載部的內(nèi)側(cè)側(cè)面的距離設(shè)為A，將所述兩個(gè)承載部的內(nèi)側(cè)側(cè)面的所述第2方向上的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)的情況下，L≥3002-A20.5的關(guān)系成立，其中，A、L的單位是mm， 所述兩個(gè)承載部各自構(gòu)成為，所述承載部的外側(cè)比所述承載部的內(nèi)側(cè)短， 在所述兩個(gè)承載部中的一個(gè)和另一個(gè)即第1承載部和第2承載部之上，在所述第2方向側(cè)的端部和與所述第2方向側(cè)相反側(cè)的端部分別設(shè)置有載置部， 在俯視觀察時(shí)，將所述第1承載部的與所述第2方向側(cè)相反側(cè)的端部的所述載置部的中心和所述第2承載部的所述第2方向側(cè)的端部的所述載置部的中心連接的直線，與將所述第1承載部的所述第2方向側(cè)的端部的所述載置部的中心和所述第2承載部的與所述第2方向側(cè)相反側(cè)的端部的所述載置部的中心連接的直線所成的角中的向所述第1方向側(cè)打開的角的角度小于或等于110°， 在所述兩個(gè)承載部中的每一者即所述第1承載部和所述第2承載部，在所述第2方向側(cè)和與所述第2方向側(cè)相反側(cè)的端部分別設(shè)置有引導(dǎo)部， 所述引導(dǎo)部對(duì)載置于所述晶片托的晶片的面內(nèi)方向上的位置進(jìn)行限制， 所述引導(dǎo)部設(shè)置于所述載置部。

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