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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113557608B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080020164.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由山崎舜平;掛端哲彌;佐藤優(yōu)一;芝崎篤;種村和幸;廣瀨貴史設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種晶體管特性偏差小的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括如下制造步驟：形成第一至第三絕緣體；在第三絕緣體上依次形成第四絕緣體、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜、第二導(dǎo)電膜；將其加工為島狀而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導(dǎo)電層、第一絕緣層、第二導(dǎo)電層；去除第二導(dǎo)電層；在第四絕緣體、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導(dǎo)電層、第一絕緣層上形成第五及第六絕緣體；通過形成到達(dá)第二氧化物的開口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體、第七絕緣體、第八絕緣體；在開口中形成第五氧化物、第九絕緣體、第三導(dǎo)電體，其中第五絕緣體利用偏壓濺射法形成。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟： 依次形成第一絕緣體至第三絕緣體； 在所述第三絕緣體上依次形成第四絕緣體、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜、第二導(dǎo)電膜； 將所述第一氧化膜、所述第二氧化膜、所述第三氧化膜、所述第一導(dǎo)電膜、所述第一絕緣膜及所述第二導(dǎo)電膜加工為島狀而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導(dǎo)電層、第一絕緣層、第二導(dǎo)電層； 去除所述第二導(dǎo)電層； 在所述第四絕緣體、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第一氧化物層、所述第一導(dǎo)電層及所述第一絕緣層上形成第五絕緣體； 在所述第五絕緣體上形成第六絕緣體； 在所述第一氧化物層、所述第一導(dǎo)電層、所述第一絕緣層、所述第五絕緣體及所述第六絕緣體中形成到達(dá)所述第二氧化物的開口； 通過形成所述開口，從所述第一氧化物層形成第三氧化物及第四氧化物，從所述第一導(dǎo)電層形成第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體，從所述第一絕緣層形成第七絕緣體及第八絕緣體；以及 在所述開口中形成第五氧化物、所述第五氧化物上的第九絕緣體、所述第九絕緣體上的第三導(dǎo)電體， 其中，所述第五絕緣體利用在含氧氣氛下施加RF功率的濺射法形成。

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