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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東華光光電子股份有限公司申請(qǐng)的專利一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114825044B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210451911.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/20；該發(fā)明授權(quán)一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片及其制備方法是由趙凱迪;王振華;任萬(wàn)測(cè)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)公開(kāi)一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片及其制備方法，該外延片中：N限制層與P限制層的組分含量非對(duì)稱、厚度非對(duì)稱；下波導(dǎo)層、上波導(dǎo)層均呈組分含量漸變特點(diǎn)，厚度非對(duì)稱特點(diǎn)，并且所述下波導(dǎo)層中摻雜P原子；下壘層與上壘層均呈組分含量漸變特點(diǎn)，厚度非對(duì)稱特點(diǎn)。這種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片中，N限制層與P限制層的組分含量非對(duì)稱、厚度非對(duì)稱設(shè)置起到降低串聯(lián)電阻，減少熱產(chǎn)生，將光場(chǎng)向N側(cè)偏移的作用，從而降低空穴對(duì)載流子的吸收提升內(nèi)量子效率。下波導(dǎo)層、上波導(dǎo)層均呈組分含量漸變，厚度非對(duì)稱設(shè)置，實(shí)現(xiàn)量子阱的光限制可控。而下壘層與上壘層厚度非對(duì)稱，組分漸變?cè)O(shè)計(jì)提升了激光器高溫下的可靠性，提高了光電轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明授權(quán)一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種完全非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的激光器外延片，其特征在于，該外延片中：N限制層與P限制層的組分含量非對(duì)稱、厚度非對(duì)稱；Alx2Ga1-x2Asy1P1-y1下波導(dǎo)層、Alx5Ga1-x5As上波導(dǎo)層均呈厚度非對(duì)稱特點(diǎn)，且所述下波導(dǎo)層中x2從下層到上層逐漸減小，所述上波導(dǎo)層中x5從上層到下層逐漸減小，并且所述下波導(dǎo)層中摻雜P原子；Alx3Ga1-x3As下壘層、Alx4Ga1-x4As上壘層均呈厚度非對(duì)稱特點(diǎn)，且所述下壘層中x3從下層到上層逐漸減小，所述上壘層中x4從上層到下層逐漸減小。

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