江西乾照光電有限公司梅震獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西乾照光電有限公司申請的專利一種晶圓刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114843182B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210390035.5，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權一種晶圓刻蝕方法是由梅震;黃斌斌;章興洋;羅坤;劉兆設計研發完成，并于2022-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓刻蝕方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種晶圓刻蝕方法，首先將待刻蝕晶圓劃分為至少兩個同心圓環區域，然后基于預先獲取的晶圓中不同半徑的圓環區域中待刻蝕層被深刻蝕后形成的刻蝕槽的上頂寬與所用刻蝕光刻版的線寬之間的對應關系，設計待刻蝕晶圓中各圓環區域對應的刻蝕光刻版的線寬，從而在利用待刻蝕晶圓中各圓環區域對應的設計好線寬的刻蝕光刻版，對待刻蝕晶圓中各圓環區域的待刻蝕層進行深刻蝕時，使得待刻蝕晶圓中各圓環區域的待刻蝕層被深刻蝕后形成的刻蝕槽的上頂寬均不大于第一預設寬度，進而使得待刻蝕晶圓中各圓環區域的待刻蝕層被刻蝕干凈的情況下，刻蝕槽的上頂寬均不超過相鄰芯粒之間的臺面間距，不損失芯粒，也不影響芯粒排布，降低芯片制作成本。
本發明授權一種晶圓刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓刻蝕方法，其特征在于，所述晶圓包括襯底和位于所述襯底上的半導體層，所述晶圓刻蝕方法包括： 將待刻蝕晶圓劃分為至少兩個同心圓環區域，每一圓環區域對應一個半徑值； 基于預先獲取的晶圓中不同半徑的圓環區域中待刻蝕層被深刻蝕后形成的刻蝕槽的上頂寬與所用刻蝕光刻版的線寬之間的對應關系，設計待刻蝕晶圓中各圓環區域對應的刻蝕光刻版的線寬； 利用待刻蝕晶圓中各圓環區域對應的設計好線寬的刻蝕光刻版，對待刻蝕晶圓中各圓環區域的待刻蝕層進行深刻蝕，使得待刻蝕晶圓中各圓環區域的待刻蝕層被深刻蝕后形成的刻蝕槽的上頂寬均不大于第一預設寬度，所述第一預設寬度不大于待刻蝕晶圓中相鄰晶粒之間的臺面間距。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西乾照光電有限公司，其通訊地址為：330103 江西省南昌市新建區望城新區寧遠大街1288號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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