山東華光光電子股份有限公司孫春明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片及其使用方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114566866B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210190125.X,技術領域涉及:H01S5/10;該發明授權一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片及其使用方法是由孫春明;吳凱;蘇建;劉琦;朱振設計研發完成,并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片及其使用方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片,包括設置在芯片絕緣層上的有源錐形波導、無源彎曲波導、有源震蕩級波導。其中:所述有源錐形波導、有源震蕩級波導之間通過無源彎曲波導連接,且所述無源彎曲波導與有源錐形波導的窄端連接。同時,所述有源錐形波導、有源震蕩級波導上均具有電極,所述無源彎曲波導不具有電極,從而對有源錐形波導、有源震蕩級波導之間進行絕緣隔離。本發明重新設計了新的電流注入結構,即:產生高質量基橫模種子光的有源震蕩級波導、實現高階模過濾、線寬壓縮的無源彎曲波導、實現基模光單程放大的有源錐形波導。有效改善了各芯片的電光延遲及因載流子濃度變化引起的頻率啁啾效應。
本發明授權一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片及其使用方法在權利要求書中公布了:1.一種高速調制的大功率基模半導體激光器芯片的使用方法,其特征在于,所述高速調制的大功率基模半導體激光器芯片包括設置在芯片絕緣層上的有源錐形波導、無源彎曲波導、有源震蕩級波導; 其中:所述有源錐形波導、有源震蕩級波導之間通過無源彎曲波導連接,且所述無源彎曲波導與有源錐形波導的窄端連接; 所述有源錐形波導、有源震蕩級波導上均具有電極,所述無源彎曲波導不具有電極; 使用時,所述有源錐形波導上的電極電流為持續注入模式,且該注入電流值始終小于閾值電流,所述有源震蕩級波導上的電極注入電流根據信號要求進行注入。
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