力成科技股份有限公司張簡上煜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉力成科技股份有限公司申請的專利封裝結構及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114068472B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110829028.6,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權封裝結構及其制造方法是由張簡上煜;林南君;徐宏欣設計研發完成,并于2021-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本封裝結構及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種封裝結構及其制造方法,所述封裝結構包括第一芯片、模封體、第一線路結構、第二線路結構、導電連接件、第二芯片及填充體。模封體覆蓋第一芯片且具有相對的第一表面及第二表面。第一線路結構位于第一表面上。第二線路結構位于第二表面上。導電連接件貫穿模封體。第二芯片配置于第二線路結構上。第二芯片具有光信號傳輸區。填充體位于第二芯片與第二線路結構之間。第二線路結構的上表面具有溝槽。上表面包含位于溝槽相對兩側的第一區及第二區。填充體直接接觸第一區。填充體遠離第二區。
本發明授權封裝結構及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種封裝結構,其特征在于,包括: 第一芯片; 模封體,覆蓋所述第一芯片,且所述模封體具有第一模封表面及相對于所述第一模封表面的第二模封表面; 第一重布線路結構,位于所述模封體的所述第一模封表面上; 第二重布線路結構,位于所述模封體的所述第二模封表面上且電連接于所述第一芯片; 導電連接件,貫穿所述模封體且電連接于所述第一重布線路結構及所述第二重布線路結構; 第二芯片,配置于所述第二重布線路結構上且電連接于所述第二重布線路結構,其中所述第二芯片具有光信號傳輸區;以及 填充體,位于所述第二芯片與所述第二重布線路結構之間,其中: 所述第二重布線路結構的上表面具有溝槽,且所述上表面包含位于所述溝槽相對兩側的第一區及第二區; 所述填充體直接接觸所述第一區; 所述填充體遠離所述第二區; 所述填充體覆蓋所述第二芯片的部分側面的高度范圍大于所述第二芯片的厚度的一半;且 所述填充體覆蓋所述第二芯片的第二主動面的范圍大于所述第二芯片的所述第二主動面的一半。
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