買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司申請的專利防止電弧放電的下電極組件、等離子體處理裝置及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115565841B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110750302.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)防止電弧放電的下電極組件、等離子體處理裝置及方法是由葉如彬設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-07-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本防止電弧放電的下電極組件、等離子體處理裝置及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種防止電弧放電的下電極組件，設(shè)置在一真空反應腔內(nèi)，包含：基座，用于支承晶圓并作為下電極組件的中心電極；射頻電源，用于向中心電極提供第一射頻信號；環(huán)部件，圍繞中心電極；邊緣電極，設(shè)置在環(huán)部件內(nèi)并與中心電極電絕緣；邊緣電極饋電組件，用于向邊緣電極提供第二射頻信號；邊緣電極饋電組件包含：導電芯和環(huán)繞設(shè)置于導電芯外圍的導電屏蔽層，導電芯與導電屏蔽層之間填充有絕緣層，導電屏蔽層與中心電極電性連接；導電屏蔽層與容納邊緣電極饋電組件的通道內(nèi)壁之間具有間隙，以容納該通道的熱脹冷縮或由機械誤差導致的周圍部件組合形成的尺寸不匹配。本發(fā)明還提供一種等離子體處理裝置，以及一種防止下電極組件電弧放電的方法。

本發(fā)明授權(quán)防止電弧放電的下電極組件、等離子體處理裝置及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種防止電弧放電的下電極組件，設(shè)置在一真空反應腔內(nèi)，其特征在于，包含： 基座，用于支承晶圓并作為所述下電極組件的中心電極； 射頻電源，用于向所述中心電極提供第一射頻信號； 環(huán)部件，圍繞所述中心電極； 邊緣電極，圍繞所述中心電極并與中心電極電絕緣； 邊緣電極饋電組件，用于向所述邊緣電極提供第二射頻信號； 所述邊緣電極饋電組件包含：導電芯和環(huán)繞設(shè)置于所述導電芯外圍的導電屏蔽層，所述導電芯與導電屏蔽層之間填充有絕緣層，所述導電屏蔽層與中心電極電性連接； 所述導電屏蔽層與容納所述邊緣電極饋電組件的通道內(nèi)壁之間具有間隙。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。