意法半導體股份有限公司R·卡爾米納蒂獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利具有通過電磁致動控制的可傾斜懸置結構的MEMS設備獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN111320131B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201911279449.5，技術領域涉及：B81C1/00；該發(fā)明授權具有通過電磁致動控制的可傾斜懸置結構的MEMS設備是由R·卡爾米納蒂;S·克斯坦蒂尼;R·吉亞諾拉;L·蒙塔格納;F·M·C·卡爾皮格納諾設計研發(fā)完成，并于2019-12-13向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本具有通過電磁致動控制的可傾斜懸置結構的MEMS設備在說明書摘要公布了：MEMS設備通過以下方式獲得：在半導體本體上形成臨時偏置結構；以及在半導體本體上形成致動線圈，致動線圈至少具有一個第一端匝、一個第二端匝、以及中間匝，中間匝被布置在第一端匝和第二端匝之間，并且通過臨時偏置結構被電耦合至第一端匝。以此方式，在電鍍生長期間中間端匝以與第一端匝近似相同的電勢被偏置，并且在生長結束時，致動線圈具有近似均勻的厚度。在電鍍生長結束時，臨時偏置結構的部分被選擇性地去除，以將第一端匝與中間匝電分離，并且與虛設偏置區(qū)域電分離，虛設偏置區(qū)域與第一端匝相鄰。
本發(fā)明授權具有通過電磁致動控制的可傾斜懸置結構的MEMS設備在權利要求書中公布了：1.一種用于制造MEMS設備的方法，所述方法包括： 在半導體本體上形成臨時偏置結構； 在所述半導體本體上形成致動線圈，所述致動線圈具有第一端匝、第二端匝、以及中間匝，所述中間匝被布置在所述第一端匝和所述第二端匝之間，并且通過所述臨時偏置結構被電耦合至所述第一端匝； 選擇性地去除所述臨時偏置結構的部分，從而將所述第一端匝與所述中間匝電分離，并且與虛設偏置區(qū)域電分離，所述虛設偏置區(qū)域與所述第一端匝相鄰；以及 選擇性地去除所述半導體本體的部分，以限定固定結構、懸置結構和支撐結構，所述懸置結構承載所述致動線圈并且由所述固定結構承載，所述支撐結構將所述懸置結構耦合到所述固定結構，并且配置為允許所述懸置結構相對于所述固定結構具有至少一個自由度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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