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龍圖騰網(wǎng)獲悉中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司申請的專利一種等離子體刻蝕方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695107B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011606614.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)一種等離子體刻蝕方法是由陳陽;張昆;周虎;劉志強(qiáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種等離子體刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種等離子體刻蝕方法，通過電感耦合射頻激發(fā)氟甲烷、氧氣、含硫氧氣體和溴化氫等混合氣體，形成等離子體后在脈沖偏置射頻的作用下，對由前置等離子體刻蝕成的高深寬比孔進(jìn)行刻蝕，適用于包括介電層和導(dǎo)電層堆疊組成的高深寬比的孔底部氮化硅層的刻蝕，具有對掩膜層和二氧化硅層的高選擇比，可以對掩膜的頂部和側(cè)面生成保護(hù)沉積層，減弱等離子體對掩膜的消耗，同時，抑制二氧化硅層的分解，又能維持氮化硅的高速率刻蝕，有效抑制因介電層的損失量較大導(dǎo)致的漏電流的增大的風(fēng)險(xiǎn)，保證制得的電子器件安全運(yùn)行。通過使用脈沖偏置射頻，可以消除孔底部的帶電粒子引起的小分子聚合物堆積，維持高速平穩(wěn)的氮化硅刻蝕速率。

本發(fā)明授權(quán)一種等離子體刻蝕方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種等離子體刻蝕方法，其特征在于，提供一刻蝕對象，所述刻蝕對象為深寬比大于10小于30的孔，其孔底包括第一二氧化硅SiO2層、覆蓋在第一二氧化硅層上的氮化硅Si3N4層，其孔壁包括掩膜層、介電層和或?qū)щ妼?；該方法包括以下步驟： a將反應(yīng)氣體包括氟甲烷CH3F、氧氣O2、含硫氧氣體和溴化氫HBr通入反應(yīng)腔； b施加高頻射頻將所述氣體激發(fā)成等離子體； c施加偏置射頻對所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕； 所述氧氣與氟甲烷的流量比為0.66-1.5:1； 溴化氫與氧氣的流量比為0.45-0.85:1； 含硫氧氣體與氧氣的流量比為0.3-1:1； 在確保所述氮化硅層對所述第一二氧化硅層具有高選擇比的同時，提升所述氮化硅層對所述掩膜層的選擇比。

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