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龍圖騰網(wǎng)獲悉華潤(rùn)微集成電路(無錫)有限公司申請(qǐng)的專利自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114696573B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011609108.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)是由王大選;劉衛(wèi)中;卜惠琴;牛瑞萍;蔣亞平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊、二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊和端口驅(qū)動(dòng)模塊，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊、二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊和端口驅(qū)動(dòng)模塊依次相連，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊用于負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)第二PMOS管P2的開啟及關(guān)閉；所述的二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊用于控制驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置功率管P1的開啟與關(guān)閉；所述的端口驅(qū)動(dòng)模塊用于驅(qū)動(dòng)外置功率MOS管。采用了本發(fā)明的自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，在采用薄柵氧器件的條件下，通過提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓的方式，降低驅(qū)動(dòng)外部功率MOS管的RDSON，提高的整體工作效率，本結(jié)構(gòu)可同時(shí)應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)不同的功率管，僅通過調(diào)整內(nèi)部電阻或電流基準(zhǔn)的值，就可以適應(yīng)不同的工作電壓，具有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種自舉電路中實(shí)現(xiàn)提高功率MOS管柵壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電路結(jié)構(gòu)包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊、二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊和端口驅(qū)動(dòng)模塊，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊、二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊和端口驅(qū)動(dòng)模塊依次相連，所述的端口驅(qū)動(dòng)模塊包含第一PMOS管，所述的二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊包含第二PMOS管，所述的第一PMOS管的柵極與第二PMOS管的漏極相連，第一PMOS管的源極與第二PMOS管的源極相連，所述的第二PMOS管的柵極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊相連，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊用于控制第二PMOS管的開啟及關(guān)閉；所述的二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊用于控制第一PMOS管的開啟與關(guān)閉；所述的端口驅(qū)動(dòng)模塊用于驅(qū)動(dòng)外置的功率MOS管； 所述的二級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊還包括反相器、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第三恒定電流源、第二多晶電阻、第四多晶電阻、齊納二極管、第三多晶電阻、脈沖產(chǎn)生電路； 所述的反相器I5的輸入端接輸入信號(hào)，輸出端與第三NMOS管的柵極相連，第三NMOS管的源極通過第三恒定電流源接地，第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極相連；第四NMOS管的柵極接數(shù)字邏輯的電壓VDD，第四NMOS管的漏極與第二PMOS管的漏極相連，第二PMOS管的柵極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊的第五NMOS管的漏極相連，所述的第二多晶電阻的兩端、第四多晶電阻及齊納二極管串聯(lián)的兩端和第二PMOS管的源極和漏極均并聯(lián)連接；第二NMOS管的源極接地，第二NMOS管的漏極通過第三多晶電阻與第三NMOS管的漏極相連；反相器的輸出端通過脈沖產(chǎn)生電路產(chǎn)生短脈沖控制第二NMOS管的柵極；所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊的第五NMOS管的柵極接輸入信號(hào)，所述的第一PMOS管的源極是端口驅(qū)動(dòng)模塊的輸出，用于驅(qū)動(dòng)外置的功率MOS管。

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