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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇宏微科技股份有限公司申請(qǐng)的專利SiC MOSFET功率器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112531017B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011552653.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)SiC MOSFET功率器件是由張景超;趙善麒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本SiC MOSFET功率器件在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種新型SiCMOSFET功率器件，包括：襯底；漏極金屬層，漏極金屬層設(shè)置于襯底下；漂移區(qū)，漂移區(qū)設(shè)置于襯底上；阱區(qū)，阱區(qū)設(shè)置于漂移區(qū)上；源區(qū)，源區(qū)設(shè)置于阱區(qū)上；溝道區(qū)，溝道區(qū)設(shè)置于阱區(qū)上；溝槽，溝槽平行于溝道區(qū)中溝道電流方向設(shè)置，并且溝槽穿過(guò)溝道區(qū)并到達(dá)源區(qū)；柵極金屬層，柵極金屬層設(shè)置于溝槽上；源極金屬層，源極金屬層設(shè)置于柵極金屬層上。本發(fā)明能夠增加溝槽側(cè)壁的溝道寬度，并且由于碳化硅不同面具有不同的電子遷移率，因此可以選擇相對(duì)高電子遷移率的側(cè)面，從而能夠保證溝槽側(cè)壁的反型層電子遷移率高于器件表面的反型層電子遷移率，以有效降低器件的溝道電阻。

本發(fā)明授權(quán)SiC MOSFET功率器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SiCMOSFET功率器件，其特征在于，包括： 襯底； 漏極金屬層，所述漏極金屬層設(shè)置于所述襯底下； 漂移區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置于所述襯底上； 阱區(qū)，所述阱區(qū)設(shè)置于所述漂移區(qū)上； 源區(qū)，所述源區(qū)設(shè)置于所述阱區(qū)上； 溝道區(qū)，所述溝道區(qū)設(shè)置于所述阱區(qū)上； 溝槽，所述溝槽平行于所述溝道區(qū)中溝道電流方向設(shè)置，并且所述溝槽穿過(guò)所述溝道區(qū)并到達(dá)所述源區(qū)； 柵極金屬層，所述柵極金屬層設(shè)置于所述溝槽上； 源極金屬層，所述源極金屬層設(shè)置于所述柵極金屬層上， 其中，所述阱區(qū)包括第一阱區(qū)和第二阱區(qū)；所述源區(qū)和所述溝道區(qū)的深度大于所述溝槽的深度，并且所述第二阱區(qū)的深度大于所述溝道區(qū)和所述源區(qū)的深度，所述溝槽底部設(shè)有浮空區(qū)，在所述浮空區(qū)周邊還設(shè)有摻雜物質(zhì)以形成摻雜區(qū)， 其中，所述漂移區(qū)為N-區(qū)，所述阱區(qū)為P+區(qū)，所述源區(qū)為N+區(qū)，所述溝道區(qū)為P-區(qū)，所述浮空區(qū)為P+區(qū)，所述摻雜區(qū)為N+區(qū)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人江蘇宏微科技股份有限公司，其通訊地址為：213022 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。