中微半導體設備(上海)股份有限公司段蛟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利形成涂層的裝置和方法、零部件和等離子體裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114678248B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011547893.3,技術領域涉及:H01J37/32;該發明授權形成涂層的裝置和方法、零部件和等離子體裝置是由段蛟;孫祥;陳星建;楊桂林設計研發完成,并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成涂層的裝置和方法、零部件和等離子體裝置在說明書摘要公布了:一種形成涂層的裝置和方法、零部件和等離子體裝置,形成涂層的裝置包括:真空腔;第一靶材和第二靶材;零部件本體,與第一靶材和第二靶材相對設置;所述第一靶材原子和第二靶材原子在零部件本體的表面形成復合耐腐蝕涂層;第一輔助監測器,用于監測第一靶材的特征信號;第二輔助監測器,用于監測第二靶材的特征信號;速率監測器,用于監測所述復合耐腐蝕涂層的形成速率,當形成速率偏離目標速率時,將偏差信號反饋至第一輔助監測器和第二輔助監測器,第一輔助監測器和第二輔助監測器分別根據第一靶材和第二靶材的特征信號的強弱變化進行獨立控制各自靶材的速率,以控制復合耐腐蝕涂層形成速率的穩定性。所形成的復合耐腐蝕涂層中的均一性較好。
本發明授權形成涂層的裝置和方法、零部件和等離子體裝置在權利要求書中公布了:1.一種用于形成復合耐腐蝕涂層的裝置,其特征在于,包括: 真空腔; 第一靶材和第二靶材,且所述第一靶材和第二靶材的材料不同,位于所述真空腔內; 零部件本體,位于所述真空腔內,與所述第一靶材和第二靶材相對設置; 第一激發裝置,用于激發出第一靶材內的第一靶材原子; 第二激發裝置,用于激發出第二靶材內的第二靶材原子,所述第一靶材原子和第二靶材原子在零部件本體的表面形成復合耐腐蝕涂層,所述復合耐腐蝕涂層的材料為稀土元素的氟氧化物、與氧化硅、氧化鋁形成的化合物中的至少一種; 第一輔助監測器,位于所述真空腔內,用于監測所述第一靶材的特征信號; 第二輔助監測器,位于所述真空腔內,用于監測所述第二靶材的特征信號; 速率監測器,位于所述真空腔內,用于監測所述復合耐腐蝕涂層的形成速率,當所述形成速率偏離目標速率時,將偏差信號反饋至第一輔助監測器和第二輔助監測器,所述第一輔助監測器和第二輔助監測器分別根據第一靶材和第二靶材的特征信號的強弱變化進行獨立控制,以使復合耐腐蝕涂層形成速率的穩定控制。
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