中微半導體設備(上海)股份有限公司黃秋平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種電感耦合等離子處理裝置及其刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114678270B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011544771.9，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權一種電感耦合等離子處理裝置及其刻蝕方法是由黃秋平;許頌臨設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電感耦合等離子處理裝置及其刻蝕方法在說明書摘要公布了：一種用于電感耦合等離子體處理裝置的刻蝕方法，所述電感耦合等離子處理裝置包括一反應腔，反應腔頂部包括絕緣窗和位于絕緣窗上方的電感線圈裝置，其中絕緣窗中心包括一進氣噴頭，反應腔內還包括一基座，待處理基片位于所述基座上，所述進氣噴頭用于將處理氣體輸入反應腔中，其特征在于：所述經過進氣噴頭輸入反應腔的處理氣體包括刻蝕氣體和惰性氣體，其中刻蝕氣體用于與待處理基片上的材料反應進行刻蝕，所述惰性氣體的流量大于刻蝕氣體流量的23。
本發明授權一種電感耦合等離子處理裝置及其刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種用于電感耦合等離子體處理裝置的刻蝕方法，所述電感耦合等離子體處理裝置包括一反應腔，反應腔頂部包括絕緣窗和位于絕緣窗上方的電感線圈裝置，其中絕緣窗中心包括一進氣噴頭，反應腔內還包括一基座，待處理基片位于所述基座上，所述進氣噴頭用于將處理氣體輸入反應腔中，其特征在于： 通過進氣噴頭提供所述處理氣體到反應腔，點燃等離子體對待處理基片進行等離子處理，輸入反應腔的處理氣體包括刻蝕氣體和惰性氣體，其中刻蝕氣體用于與待處理基片上的材料反應進行刻蝕，所述惰性氣體的流量大于等于刻蝕氣體流量的2倍； 所述進氣噴頭包括位于中心的第一進氣噴口，圍繞所述第一進氣噴口的多個第二進氣噴口，所述第二進氣噴口輸出的氣體朝向下方基片的邊緣區域噴出，一個氣體分配器控制輸入到第一和第二進氣噴口的氣流成分或流量比例； 所述電感線圈裝置包括第一和第二電感線圈，其中第一電感線圈位于絕緣窗中心區域，第二電感線圈圍繞所述第一電感線圈； 輸入到第一電感線圈的功率大于輸入到第二電感線圈的功率。
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