深圳市華科創智技術有限公司潘瑩瑩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華科創智技術有限公司申請的專利一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112506385B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011389038.4，技術領域涉及：G06F3/044；該發明授權一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏是由潘瑩瑩;林儀珊;莊桂生;李曉明設計研發完成，并于2020-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏在說明書摘要公布了：本發明涉及納米銀導電膜領域，尤其涉及一種可降低納米銀膜通道失效率的納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏。本發明的納米銀導電膜，導電膜上分別蝕刻有TX方向激光圖案和RX方向激光圖案，導電膜沿TX方向分為中間部分和邊緣部分，中間部分TX方向激光圖案的線距大于邊緣部分TX方向激光圖案的線距。本發明通過微擴TX方向蝕刻激光圖案中間部分的線距，可在維持電流強度、不影響觸控效果的條件下，弱化電流沖擊對納米銀形態的破壞，可更為有效地維持納米銀線連接強度及形態，降低TX方向導電膜中部納米銀線層的失效率，進而控制電阻在穩定范圍，延長電容屏的使用壽命。
本發明授權一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏在權利要求書中公布了：1.一種納米銀導電膜，應用于大尺寸納米銀電容屏，其特征在于，所述導電膜上分別蝕刻有TX方向激光圖案和RX方向激光圖案，所述導電膜在RX方向采用單邊通電，所述導電膜在TX方向橫向寬度大，采用雙邊通電，所述導電膜沿TX方向分為中間部分和邊緣部分，所述中間部分TX方向激光圖案的線距大于邊緣部分TX方向激光圖案的線距，所述中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.2-0.3mm，所述中間部分占據所述導電膜TX方向范圍的20-22%。
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