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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東浪潮華光光電子股份有限公司申請的專利一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114583017B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011368380.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法是由彭璐;王彥麗;鄭波設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法，該方法包括1在外延片的表面蒸鍍ITO；2在ITO的表面制備光刻膠圖形；3對光刻膠圖形進(jìn)行ICP刻蝕，刻蝕至ITO表面的光刻膠完全消耗；缺少光刻膠保護的ITO區(qū)域產(chǎn)生了深刻蝕，形成開孔區(qū)域；被光刻膠保護的ITO區(qū)域產(chǎn)生了淺刻蝕，形成粗化區(qū)域；4在外延片的表面再次蒸鍍ITO；5制備P面金屬電極圖形；6利用電子束蒸發(fā)法蒸鍍P面金屬電極；7研磨襯底；8蒸鍍N面金屬電極；9切割獲得獨立的芯片。該制備方法采用干法刻蝕進(jìn)行粗化，此種方法不使用粗化液，無需進(jìn)行去膠作業(yè)，具有時效快、成本低、環(huán)保等特點。

本發(fā)明授權(quán)一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種新型AlGaInP四元LED芯片制備方法，其特征在于，該制備方法包括： 1在外延片的表面蒸鍍ITO，所述外延片包括自下到上依次設(shè)置的GaAs襯底、緩沖層、N型層、量子阱和P型層； 2在ITO的表面制備光刻膠，利用光刻工藝制備光刻膠圖形； 3根據(jù)步驟2制備的光刻膠圖形進(jìn)行ICP刻蝕，刻蝕至ITO表面的光刻膠完全消耗； 缺少光刻膠保護的ITO區(qū)域產(chǎn)生了深刻蝕，形成開孔區(qū)域； 被光刻膠保護的ITO區(qū)域產(chǎn)生了淺刻蝕，形成粗化區(qū)域； 根據(jù)步驟2制備的光刻膠圖形分時間段調(diào)控ICP刻蝕的氣體、ICP刻蝕的功率進(jìn)行ICP刻蝕，獲得不同的粗化結(jié)構(gòu)； 4在外延片的表面再次蒸鍍ITO； 5制備光刻膠，制備P面金屬電極圖形； 6利用電子束蒸發(fā)法蒸鍍P面金屬電極； 7研磨襯底； 8在研磨后襯底的表面蒸鍍N面金屬電極； 9通過切割，獲得獨立的芯片。

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