東京毅力科創株式會社;法國國立奧爾良大學田原慈獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社;法國國立奧爾良大學申請的專利蝕刻方法和蝕刻裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113966546B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080041655.7,技術領域涉及:H01L21/3065;該發明授權蝕刻方法和蝕刻裝置是由田原慈;雅各·法蓋;前川薫;大野久美子;佐藤渚;雷米·杜薩特;托馬斯·蒂洛徹;菲利普·勒福舍;蓋爾·安托萬設計研發完成,并于2020-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本蝕刻方法和蝕刻裝置在說明書摘要公布了:蝕刻方法包括:物理吸附工序,一邊將形成有蝕刻對象膜的被處理體進行冷卻,一邊在第一處理氣體的壓力比針對被處理體的溫度的該第一處理氣體的飽和蒸氣壓小的條件下使基于該第一處理氣體的吸附質物理吸附于蝕刻對象膜;以及蝕刻工序,利用第二處理氣體的等離子體來使吸附質與蝕刻對象膜進行反應,由此對蝕刻對象膜進行蝕刻。
本發明授權蝕刻方法和蝕刻裝置在權利要求書中公布了:1.一種蝕刻方法,包括以下工序: 物理吸附工序,一邊將形成有蝕刻對象膜的被處理體進行冷卻,一邊在第一處理氣體的壓力比針對所述被處理體的溫度的該第一處理氣體的飽和蒸氣壓小的條件下使基于該第一處理氣體的吸附質物理吸附于所述蝕刻對象膜; 置換工序,通過使所述吸附質的一部分揮發的第三處理氣體來置換所述第一處理氣體,以調整所述吸附質的厚度;以及 蝕刻工序,利用第二處理氣體的等離子體來使所述吸附質與所述蝕刻對象膜進行反應,由此對所述蝕刻對象膜進行蝕刻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社;法國國立奧爾良大學,其通訊地址為:日本東京都;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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