三菱電機株式會社川畑直之獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利碳化硅半導體裝置以及碳化硅半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115004342B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080094157.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權碳化硅半導體裝置以及碳化硅半導體裝置的制造方法是由川畑直之;永久雄一;田中貴規;巖松俊明設計研發完成，并于2020-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本碳化硅半導體裝置以及碳化硅半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本公開的目的在于提供一種生產性優良且抑制在體二極管中流過大電流時的特性劣化的碳化硅半導體裝置。包括SiC基板10、緩沖層11以及漂移層12的構造體在俯視時被劃分成在對SiC?MOSFET101施加電壓時流過電流的活性區域13和比活性區域13更靠外周側的耐壓保持區域14，活性區域13在俯視時被劃分成中央部的第1活性區域15、和第1活性區域15與耐壓保持區域14之間的第2活性區域16。第2活性區域16以及耐壓保持區域14中的少數載流子的壽命比第1活性區域15中的少數載流子的壽命短。
本發明授權碳化硅半導體裝置以及碳化硅半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導體裝置，具備： 第1導電類型的碳化硅基板； 第1導電類型的緩沖層，形成于所述碳化硅基板上； 第1導電類型的漂移層，形成于所述緩沖層上； 第2導電類型的阱區域，形成于所述漂移層的表層； 作為第1導電類型的雜質區域的源極區域，形成于所述阱區域的表層；以及 源極焊盤，與所述源極區域電連接， 其中，包括所述碳化硅基板、所述緩沖層以及所述漂移層的構造體在俯視時被劃分成在對所述碳化硅半導體裝置施加了電壓時流過電流的活性區域和比所述活性區域更靠外周側的耐壓保持區域， 所述活性區域在俯視時被劃分成中央部的第1活性區域和在所述第1活性區域與所述耐壓保持區域之間的第2活性區域， 所述第1活性區域和所述第2活性區域被所述源極焊盤覆蓋， 所述第2活性區域以及所述耐壓保持區域中的少數載流子的壽命比所述第1活性區域中的少數載流子的壽命短。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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