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龍圖騰網(wǎng)獲悉硅存儲技術(shù)股份有限公司申請的專利使用三柵極非易失性存儲器單元陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113330461B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980089312.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06N3/065；該發(fā)明授權(quán)使用三柵極非易失性存儲器單元陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類器是由H·V·特蘭;S·萊姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷頓設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-08-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本使用三柵極非易失性存儲器單元陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類器在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種具有突觸的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，該突觸具有存儲器單元，每個存儲器單元具有設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)的第一部分上方的浮柵和在該溝道區(qū)的第二部分上方的第一柵極以及在該浮柵或該源極區(qū)上方的第二柵極。第一線各自電連接該存儲器單元行中的一行中的該第一柵極，第二線各自電連接該存儲器單元行中的一行中的該第二柵極，第三線各自電連接該存儲器單元列中的一列中的該源極區(qū)，并且第四線各自電連接該存儲器單元列中的一列中的該漏極區(qū)。該突觸接收第一多個輸入作為該第一線或該第二線上的電壓，并且提供第一多個輸出作為該第三線或該第四線上的電流。

本發(fā)明授權(quán)使用三柵極非易失性存儲器單元陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理設(shè)備，包括： 第一多個突觸，所述第一多個突觸被配置為接收第一多個輸入并從其生成第一多個輸出，其中所述第一多個突觸包括： 多個存儲器單元，其中所述存儲器單元中的每個存儲器單元包括：形成于半導體襯底中的間隔開的源極區(qū)和漏極區(qū)，其中溝道區(qū)在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間延伸；設(shè)置在所述溝道區(qū)的第一部分上方并與所述第一部分絕緣的浮柵；設(shè)置在所述溝道區(qū)的第二部分上方并與所述第二部分絕緣的第一柵極； 以及設(shè)置在所述浮柵上方并與所述浮柵絕緣或設(shè)置在所述源極區(qū)上方并與所述源極區(qū)絕緣的第二柵極； 所述多個存儲器單元中的每一個存儲器單元被配置為存儲與所述浮柵上的多個電子相對應(yīng)的權(quán)重值； 所述多個存儲器單元被配置為基于所述第一多個輸入和所存儲的權(quán)重值來生成所述第一多個輸出；其中所述第一多個突觸的所述存儲器單元被布置成行和列，并且其中所述第一多個突觸包括： 多條第一線，每條第一線將所述存儲器單元的所述行中的一行中的所述第一柵極電連接在一起； 多條第二線，每條第二線將所述存儲器單元的所述行中的一行中的所述第二柵極電連接在一起； 多條第三線，每條第三線將所述存儲器單元的所述列中的一列中的所述源極區(qū)電連接在一起； 多條第四線，每條第四線將所述存儲器單元的所述列中的一列中的所述漏極區(qū)電連接在一起；其中所述第一多個突觸被配置為接收所述第一多個輸入作為所述多條第二線上的電壓，以及提供所述第一多個輸出作為所述多條第三線或所述多條第四線上的電流。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人硅存儲技術(shù)股份有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。