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龍圖騰網(wǎng)獲悉超威半導(dǎo)體公司申請(qǐng)的專利單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點(diǎn)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112166498B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980035109.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點(diǎn)是由理查德·T·舒爾茨設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-03-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點(diǎn)在說(shuō)明書摘要公布了：描述了一種用于布置標(biāo)準(zhǔn)單元的電網(wǎng)連接的系統(tǒng)和方法。在各種實(shí)施方案中，將柵極金屬放置在非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上，所述非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)用于形成非平面器件晶體管。柵極觸點(diǎn)將柵極金屬連接至所述柵極金屬上方的柵極延伸金屬GEM。GEM放置在所述柵極金屬上方，并通過(guò)一個(gè)或多個(gè)柵極觸點(diǎn)與柵極金屬連接。在所述GEM上在有源區(qū)上方形成柵極延伸觸點(diǎn)。與柵極觸點(diǎn)類似，以相比使用自對(duì)準(zhǔn)觸點(diǎn)工藝不太復(fù)雜的制造工藝來(lái)形成柵極延伸觸點(diǎn)。柵極延伸觸點(diǎn)將GEM連接至互連層，例如金屬零層。柵極延伸觸點(diǎn)與所述非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一者垂直對(duì)準(zhǔn)。因此，在實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)柵極延伸觸點(diǎn)位于所述有源區(qū)上方。

本發(fā)明授權(quán)單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點(diǎn)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)單元布局的半導(dǎo)體器件制造方法，其包括： 在硅襯底上形成一個(gè)或多個(gè)非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 將柵極金屬放置在所述一個(gè)或多個(gè)非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分上； 在所述柵極金屬的一個(gè)或多個(gè)末端上形成一個(gè)或多個(gè)柵極觸點(diǎn)； 將柵極延伸金屬GEM在所述柵極金屬上方放置在所述一個(gè)或多個(gè)柵極觸點(diǎn)上，其中所述柵極延伸金屬在整個(gè)所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局中僅放置在所述柵極金屬上方；以及 在所述柵極延伸金屬上的位于所述一個(gè)或多個(gè)非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一者上且與所述一個(gè)或多個(gè)非平面垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一者對(duì)準(zhǔn)的位置處形成柵極延伸觸點(diǎn)，其中用于路由信號(hào)的多個(gè)金屬層中的金屬零層可用于對(duì)柵極連接進(jìn)行布線，其中所述金屬零層與所述柵極延伸觸點(diǎn)和源極漏極觸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)接觸。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人超威半導(dǎo)體公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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