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龍圖騰網獲悉超威半導體公司申請的專利單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112166498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201980035109.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點是由理查德·T·舒爾茨設計研發(fā)完成，并于2019-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點在說明書摘要公布了：描述了一種用于布置標準單元的電網連接的系統(tǒng)和方法。在各種實施方案中，將柵極金屬放置在非平面垂直導電結構上，所述非平面垂直導電結構用于形成非平面器件晶體管。柵極觸點將柵極金屬連接至所述柵極金屬上方的柵極延伸金屬GEM。GEM放置在所述柵極金屬上方，并通過一個或多個柵極觸點與柵極金屬連接。在所述GEM上在有源區(qū)上方形成柵極延伸觸點。與柵極觸點類似，以相比使用自對準觸點工藝不太復雜的制造工藝來形成柵極延伸觸點。柵極延伸觸點將GEM連接至互連層，例如金屬零層。柵極延伸觸點與所述非平面垂直導電結構中的一者垂直對準。因此，在實施方案中，一個或多個柵極延伸觸點位于所述有源區(qū)上方。

本發(fā)明授權單元中的有源區(qū)上方的柵極觸點在權利要求書中公布了：1.一種用于創(chuàng)建標準單元布局的半導體器件制造方法，其包括： 在硅襯底上形成一個或多個非平面垂直導電結構； 將柵極金屬放置在所述一個或多個非平面垂直導電結構的一部分上； 在所述柵極金屬的一個或多個末端上形成一個或多個柵極觸點； 將柵極延伸金屬GEM在所述柵極金屬上方放置在所述一個或多個柵極觸點上，其中所述柵極延伸金屬在整個所述標準單元布局中僅放置在所述柵極金屬上方；以及 在所述柵極延伸金屬上的位于所述一個或多個非平面垂直導電結構中的一者上且與所述一個或多個非平面垂直導電結構中的一者對準的位置處形成柵極延伸觸點，其中用于路由信號的多個金屬層中的金屬零層可用于對柵極連接進行布線，其中所述金屬零層與所述柵極延伸觸點和源極漏極觸點中的一個或多個接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人超威半導體公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。