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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構，半導體結構制備方法及其用途獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110943070B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811117587.9，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權半導體結構，半導體結構制備方法及其用途是由吳公一;徐朋輝;陳龍陽設計研發完成，并于2018-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構，半導體結構制備方法及其用途在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構，半導體結構制備方法及其用途，所述制備方法包括，提供一襯底，所述襯底中嵌有至少一個第一金屬結構；所述第一金屬結構頂面與所述襯底頂面處于同一平面；于所述襯底上形成一層間介質層；于所述層間介質層中形成至少一個溝槽，所述溝槽顯露出所述第一金屬結構頂面；于所述溝槽側壁形成一擴散阻擋層；以及于形成有所述擴散阻擋層的所述溝槽中形成第二金屬結構，所述第二金屬結構與所述第一金屬結構直接接合以實現電連接。利用本發明，通過去除底部的擴散阻擋層，不僅降低互連接觸電阻，減少RC延遲，而且還能保護層間介質層，提高通孔填充質量，另外還能采用絕緣材料作為擴散阻擋層，提高器件的電性能穩定性和可靠性。

本發明授權半導體結構，半導體結構制備方法及其用途在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構制備方法，其特征在于， 包括： 提供一襯底，所述襯底中嵌有至少一個第一金屬結構； 所述第一金屬結構頂面與所述襯底頂面處于同一平面； 于所述襯底上形成一層間介質層； 所述襯底與所述層間介質層之間還形成一第一停止層，所述層間介質層上還形成有一第二停止層； 所述制備方法還包括： 于所述第二停止層和所述層間介質層中形成至少一個溝槽，所述溝槽顯露出所述第一停止層的頂面； 于所述溝槽的內壁形成擴散阻擋層材料； 去除位于所述溝槽底部的所述擴散阻擋層材料，以于所述溝槽的側壁上形成所述擴散阻擋層，且顯露出所述第一停止層； 去除顯露出的部分所述第一停止層，以于所述第一停止層中形成第一開口，所述第一開口顯露出所述第一金屬結構頂面； 以及 于側壁形成有所述擴散阻擋層的所述溝槽中以及所述第一開口中形成第二金屬結構，所述第二金屬結構與所述第一金屬結構直接接合以實現電連接； 其中，所述第二停止層的厚度大于所述第一停止層的厚度。

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