華邦電子股份有限公司侯拓宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華邦電子股份有限公司申請的專利電阻式隨機存取存儲器、其制造方法及其操作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256416B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111605366.8，技術領域涉及：H10B63/00；該發明授權電阻式隨機存取存儲器、其制造方法及其操作方法是由侯拓宏;胡博瑞;張哲嘉設計研發完成，并于2016-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本電阻式隨機存取存儲器、其制造方法及其操作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種電阻式隨機存取存儲器、其制造方法及其操作方法，包括第一電極、第二電極以及電荷捕捉層。第二電極位于第一電極上。電荷捕捉層位于第一電極與第二電極之間。電荷捕捉層包括第一區域與第二區域。第一區域具有第一摻質并靠近第一電極。第二區域具有第二摻質并靠近第二電極。本發明的電阻式隨機存取存儲器具有非線性電阻值且不需要額外的選擇元件，因此，可縮小面積，進而達到高密度的三維堆疊式RRAM陣列。
本發明授權電阻式隨機存取存儲器、其制造方法及其操作方法在權利要求書中公布了：1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括： 第一電極； 第二電極，位于所述第一電極上，其中所述第一電極的材料與所述第二電極的材料相同； 電荷捕捉層，位于所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述電荷捕捉層的材料為能隙小于5eV的絕緣材料，所述絕緣材料包括選自由TiO2、HfO、HfO2、ZrO、ZrO2、Ta2O5、WO3、CoO及Nb2O5所組成的群組中的一種，所述電荷捕捉層包括： 第一區域，具有第一摻質并靠近所述第一電極；以及 第二區域，具有第二摻質并靠近所述第二電極，其中所述第一區域中的所述第一摻質的濃度小于所述第二區域中的所述第二摻質的濃度，其中所述第一區域中的所述第一摻質的濃度介于1at％至50at％之間，所述第二區域中的所述第二摻質的濃度介于10at％至90at％之間，以使所述第二區域的能隙比所述第一區域的能隙大至少1eV，其中所述電阻式隨機存取存儲器僅為1R存儲器結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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