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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利一種片狀MoS₂@雪花狀VO₂(M)納米結構電磁波吸收材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120309013B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510813462.3，技術領域涉及：H05K9/00；該發明授權一種片狀MoS₂@雪花狀VO₂(M)納米結構電磁波吸收材料及其制備方法是由梁小會;彭昌西;任守玉;王敦輝設計研發完成，并于2025-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種片狀MoS₂@雪花狀VO₂(M)納米結構電磁波吸收材料及其制備方法在說明書摘要公布了：一種片狀MoS2@雪花狀VO2M納米結構電磁波吸收材料及其制備方法，首先對天然輝鉬礦原料進行電化學剝離處理，獲得單層至少層的MoS2納米片；繼而以所述MoS2納米片為基底，通過水熱合成工藝在其表面原位生長雪花狀VO2B納米結構；最后將所得前驅體進行熱處理，促使VO2B晶型向VO2M轉變，從而制得片狀MoS2@雪花狀VO2M納米復合材料。該合成方法通過構建獨特的雪花狀分級結構與高比表面積MoS2納米片的協同體系，顯著提升了材料的介電損耗特性，所制備的復合材料展現出優異的微波吸收性能，為設計高性能電磁波吸收材料提供了新的技術路徑。

本發明授權一種片狀MoS₂@雪花狀VO₂(M)納米結構電磁波吸收材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種片狀MoS2@雪花狀VO2M電磁波吸收材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1，使用電化學法剝離天然輝鉬礦，再通過乙醇超聲清洗，得到2H相的二維片狀MoS2納米片； 步驟2，首先將V2O5與H2C2O4加入水中，加熱攪拌直至得到深藍色溶液；接著將二維片狀MoS2納米片加入所述深藍色溶液中，超聲分散處理后，轉移至反應釜中進行水熱反應，利用奧氏熟化效應，使反應體系中生成的VO2重新溶解并沉積，實現B相的VO2沉積物對2H相的二維片狀MoS2納米片表面的均勻包裹； 通過離心、干燥處理后，獲得MoS2@VO2B復合材料； 步驟3，將步驟2制備的MoS2@VO2B復合材料進行煅燒，以將VO2從B相轉化為M相，得到MoS2@雪花狀VO2M電磁波吸收材料；所述VO2為雪花狀粒子，粒徑300~700nm。

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