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龍圖騰網(wǎng)獲悉高藝匠(成都)新材料科技有限公司申請的專利一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120261550B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510749574.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01M4/36；該發(fā)明授權(quán)一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料及制備方法是由楊衛(wèi)華;陳慧;周春林;劉婷;卿敏設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料及制備方法，包括多孔硅碳復(fù)合基材，多孔硅碳復(fù)合基材附著有納米添加劑，納米添加劑包括鋁硅酸鹽。本發(fā)明通過在多孔硅碳復(fù)合基材上負載鋁硅酸鹽等納米添加劑，利用納米添加劑獨特的納米層狀結(jié)構(gòu)和納米孔隙，可構(gòu)建儲鋰及超離子傳輸通道，容納體積膨脹；同時獨特力學(xué)性能和機械強度，可穩(wěn)定電極結(jié)構(gòu)，減少顆粒粉化，抑制體積膨脹，實現(xiàn)了多孔硅碳復(fù)合基材，在保持硅碳負極復(fù)合材料高容量的同時，顯著降低硅碳負極復(fù)合材料的體積膨脹率；本發(fā)明制備的硅碳負極復(fù)合材料的膨脹率在71%以下。

本發(fā)明授權(quán)一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低膨脹、高比容量的硅碳負極復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、漿料態(tài)添加劑制備：將制備納米添加劑的原料與水混合形成懸濁液，將懸濁液依次進行粗磨和細磨，獲得漿料態(tài)添加劑；所述納米添加劑包括鋁硅酸鹽；所述納米添加劑具有納米層狀結(jié)構(gòu)和納米孔隙；所述鋁硅酸鹽包括長石、云母、高嶺土、沸石或石榴石； S2、漿料制備：先將粘結(jié)劑溶解在溶劑中獲得粘結(jié)劑溶液，將導(dǎo)電劑分散在溶劑中形成分散液，將聚丙烯酸溶解在溶劑中獲得PAA溶液，然后將粘結(jié)劑溶液和分散液與多孔硅碳復(fù)合基材混合，再加入PAA溶液和漿料態(tài)添加劑混合；攪拌均勻，形成漿料； S3、涂布：將所述漿料均勻涂在集流體上； S4、干燥。

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