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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請的專利綠光Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、綠光Micro-LED獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120239378B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510706024.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)綠光Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、綠光Micro-LED是由胡加輝;鄭文杰;高虹;劉春楊;金從龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本綠光Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、綠光Micro-LED在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種綠光Micro?LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、綠光Micro?LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。外延結(jié)構(gòu)依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、電子傳輸層、多量子阱層和P型GaN層；電子傳輸層依次包括第一子層、第二子層、第三子層、第四子層、第五子層和第六子層，第一子層包括交替層疊的非摻雜含Al氮化物層與Si摻含Al氮化物層；第二子層、第三子層、第四子層均為C、Si共摻雜的含Ga氮化物層，第五子層為Si摻AlGaN層，第六子層包括交替層疊的Si摻GaN層和InGaN層；第二子層、第三子層、第四子層的Si摻雜濃度均大于Si摻含Al氮化物層的Si摻雜濃度；第二子層、第三子層、第四子層的Si摻雜濃度分別大于其C摻雜濃度。實施本發(fā)明，可提升光效與波長均勻性。

本發(fā)明授權(quán)綠光Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、綠光Micro-LED在權(quán)利要求書中公布了：1.一種綠光Micro-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底，依次層疊于所述襯底上的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、電子傳輸層、多量子阱層和P型GaN層； 其中，所述電子傳輸層包括依次層疊于所述N型GaN層上的第一子層、第二子層、第三子層、第四子層、第五子層和第六子層，所述第一子層包括交替層疊的非摻雜含Al氮化物層與Si摻含Al氮化物層；所述第二子層、第三子層、第四子層均為C、Si共摻雜的含Ga氮化物層；所述第五子層為Si摻AlGaN層，所述第六子層包括交替層疊的Si摻GaN層和InGaN層； 所述第二子層、所述第三子層、所述第四子層的Si摻雜濃度均大于所述Si摻含Al氮化物層的Si摻雜濃度；所述第二子層、所述第三子層、所述第四子層的Si摻雜濃度分別大于其C摻雜濃度； 所述非摻雜含Al氮化物層為非摻雜AlN層、非摻雜AlGaN層或非摻雜AlInGaN層； 所述Si摻含Al氮化物層為Si摻AlN層、Si摻AlGaN層或Si摻AlInGaN層； 所述含Ga氮化物層為GaN層、AlGaN層、AlInGaN層、InGaN層、BGaN層或BInGaN層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人江西兆馳半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天祥北大道1717號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。