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      深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司吳文明獲國(guó)家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件及其封裝工藝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN120187089B

      龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510615762.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D80/20;該發(fā)明授權(quán)一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件及其封裝工藝是由吳文明;鐘國(guó)偉;陳華武;常萬(wàn)博;程晉利設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-05-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件及其封裝工藝在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,提供一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件及其封裝工藝,高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件包括:TVS管晶圓、框架焊盤、引線鍵合絲、大容值陶瓷電容和塑封體,TVS管晶圓與大容值陶瓷電容通過(guò)引線鍵合絲連接,并集成封裝于塑封體內(nèi)。本發(fā)明通過(guò)將TVS管晶圓與大容值陶瓷電容進(jìn)行集成封裝,實(shí)現(xiàn)了靜電防護(hù)與高結(jié)電容特性的完美結(jié)合;封裝工藝不僅提高了器件的靜電防護(hù)能力,還顯著提升了其電容性能,使得該靜電防護(hù)器件在應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過(guò)電壓沖擊時(shí)表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能。

      本發(fā)明授權(quán)一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件及其封裝工藝在權(quán)利要求書中公布了:1.一種高結(jié)電容TVS管的靜電防護(hù)器件,其特征在于,包括: TVS管晶圓、框架焊盤、引線鍵合絲、大容值陶瓷電容和塑封體,TVS管晶圓與大容值陶瓷電容通過(guò)引線鍵合絲連接,并集成封裝于塑封體內(nèi); 大容值陶瓷電容的容值為100pF-10μF,介電材料為鈦酸鋇基陶瓷,介電常數(shù)≥3000,耐壓值為TVS擊穿電壓的1.5倍以上; 框架焊盤表面鍍覆鎳層,鎳層的厚度為3-5μm,鎳層表面粗糙度Ra≤0.3μm,用于支撐TVS管晶圓與大容值陶瓷電容; 塑封體的環(huán)氧模塑料熱膨脹系數(shù)≤8ppm℃,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度≥160℃,封裝后器件尺寸與DFN0402封裝兼容。

      如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道發(fā)達(dá)路云里智能園7棟1樓01室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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