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龍圖騰網獲悉榮芯半導體(寧波)有限公司申請的專利帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120124562B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510602381.9，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法是由肖莉紅;吳勝武;潘見設計研發完成，并于2025-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法，所述方法包括：設計NMOS器件結構；測量NMOS結構獲得電性測試參數；建立初始NMOS模型；進行第一次曲線擬合；判斷曲線擬合是否合格；若合格，則建立NMOS結構的失配模型；設計不同尺寸的DNW結構；測量寄生二極管的C?V曲線和I?V曲線；建立初始的二極管模型；進行第二次曲線擬合；判斷曲線擬合是否合格；若合格，則得到帶DNW隔離結構的六端NMOS結構的電壓值、電流值和電容值失配模型，并進行驗證。本發明通過LVS提取寄生二極管的面積與周長建立初始的二極管模型，從而準確反映版圖差異帶來的模型特性差異，提高器件模型的準確度。

本發明授權帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法在權利要求書中公布了：1.一種帶DNW隔離結構的NMOS器件六端模型的提取方法，其特征在于，包括以下步驟： 設計不同尺寸的NMOS結構； 測量NMOS結構獲得電性測試參數； 根據所述電性測試參數建立初始的NMOS模型； 改變NMOS結構的特性參數對電性測試參數進行第一次曲線擬合； 判斷第一次曲線擬合是否合格，若不合格，則修改NMOS結構的特性參數，并返回上一步驟； 若合格，則建立NMOS結構的失配模型； 設計不同尺寸的DNW結構； 測量DNW與Psub之間以及DNW與pwell之間的寄生二極管的C-V曲線和I-V曲線； 通過LVS提取寄生二極管的面積與周長建立初始的二極管模型； 改變二極管的特性參數對電壓值、電流值與電容值進行第二次曲線擬合； 判斷第二次曲線擬合是否合格，若不合格，則修改DNW結構的特性參數，并返回上一步驟； 若合格，則建立二極管模型，在建立的所述NMOS結構的失配模型上增加建立的所述二極管模型，則得到帶DNW隔離結構的六端NMOS結構的電壓值、電流值和電容值失配模型，并對所述失配模型進行驗證。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人榮芯半導體(寧波)有限公司，其通訊地址為：315809 浙江省寧波市北侖區柴橋街道金水橋路28號4幢1號1層-1；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。