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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120048798B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510519340.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由曹平;李政;呂海燕設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-04-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具體涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積有金屬層；對(duì)金屬層進(jìn)行第一退火處理，生成金屬硅化合物；采用第一清洗液對(duì)初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理，第一清洗液為硫酸、過(guò)氧化氫和亞鐵離子的混合溶液；采用第二清洗液對(duì)初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理，第二清洗液為鹽酸、過(guò)氧化氫和水的混合溶液；對(duì)金屬硅化合物進(jìn)行第二退火處理，生成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。采用本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法可降低未反應(yīng)金屬層的去除溫度，避免高溫對(duì)金屬硅化合物熱穩(wěn)定的影響和損傷，提高產(chǎn)品良率。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 提供初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積有金屬層，所述金屬層為鎳鉑合金層，以所述鎳鉑合金的總質(zhì)量計(jì)，鉑的質(zhì)量百分比為1%~10%； 對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一退火處理，生成金屬硅化合物； 采用第一清洗液對(duì)所述初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理，所述第一清洗液為硫酸、過(guò)氧化氫和亞鐵離子的混合溶液； 采用第二清洗液對(duì)所述初始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理，所述第二清洗液為鹽酸、過(guò)氧化氫和水的混合溶液； 對(duì)所述金屬硅化合物進(jìn)行第二退火處理，生成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層； 其中，所述第一清洗液中，所述硫酸與所述過(guò)氧化氫的比例為2:1~5:1，所述亞鐵離子的濃度為100~1000ppm，所述第一清洗液的溫度為100~170℃。

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