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龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利混合柵極高電子遷移率晶體管、制備方法與其測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120035171B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510510664.0，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權混合柵極高電子遷移率晶體管、制備方法與其測試方法是由唐曦;林鳳萍;劉曉宇;唐高飛設計研發完成，并于2025-04-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本混合柵極高電子遷移率晶體管、制備方法與其測試方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種混合柵極高電子遷移率晶體管、制備方法與其測試方法。所述晶體管可配置為耗盡模式或增強模式，柵極結構由不同比例的p?GaN半導體層組成。制備過程中采用電感耦合等離子體反應離子蝕刻技術，保護柵極結構并減少缺陷。器件工作時，通過向柵極施加驅動電壓，在源極和漏極偏壓下調控p?GaNAlGaNGaN異質結內建電場，耗盡柵極下方的二維電子氣，且耗盡程度隨p?GaN比例變化。施加正偏壓可恢復二維電子氣。整個制備工藝嚴格遵循標準氮化鎵技術流程，無需額外修改。該設計可有效降低柵極漏電，提供穩定且可調的閾值電壓，并通過調節p?GaN比例實現器件常開與常關狀態的靈活調控。

本發明授權混合柵極高電子遷移率晶體管、制備方法與其測試方法在權利要求書中公布了：1.混合柵極高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括： 襯底； 沿第一方向上依次層疊設置的N型溝道層、勢壘層和P型半導體層，其中，所述第一方向為襯底指向P型半導體層的方向； 所述P型半導體層包括沿第二方向上依次排列的多個子P型半導體層，其中，多個所述子P型半導體層具有不同占用比；所述第二方向為垂直于源極指向漏極的方向； 當所述子P型半導體層的占用比的范圍為大于0%且小于100%時，所述子P型半導體層中包括多個沿第二方向上等距排列的子P型半導體層島；當所述子P型半導體層的占用比為100%時，所述子P型半導體層中包括一個子P型半導體層島； 鈍化電介質層以及肖特基金屬層； 所述鈍化電介質層設置于所述勢壘層表面未被所述P型半導體層覆蓋的區域； 所述肖特基金屬層設于所述P型半導體層表面，以同時形成金屬半導體肖特基接觸和MIS柵極； 所述占用比為： Pp-GaN=Wp-GaNWtotal； 其中，Pp-GaN為占用比大小，Wtotal是一個子P型半導體層的寬度，Wp-GaN是相應的一個子P型半導體層中所有子P型半導體層島的寬度之和。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。