河北美泰電子科技有限公司南耀仕獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉河北美泰電子科技有限公司申請的專利抗高過載MEMS慣性測量單元和慣性組合導航系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120008598B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510495120.1，技術領域涉及：G01C21/16；該發明授權抗高過載MEMS慣性測量單元和慣性組合導航系統是由南耀仕;金明路;乜愷;李正偉;馮楠;周長滿;鄭鵬飛;李若丹設計研發完成，并于2025-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本抗高過載MEMS慣性測量單元和慣性組合導航系統在說明書摘要公布了：本發明屬于測量元件技術領域，提供了一種抗高過載MEMS慣性測量單元，所述抗高過載MEMS慣性測量單元包括外殼、一級減振組件、芯體、二級減振組件、測量組件和三級減振組件，外殼內部設有容納腔；一級減振組件包括若干一級減振墊，且間隔設在所述外殼外側底部；芯體設在所述容納腔內；二級減振組件包括若干二級減振墊，且間隔設在所述芯體和所述容納腔內壁之間，用來支撐所述芯體；測量組件與所述芯體連接；三級減振組件包括若干三級減振墊，所述三級減振墊夾設在所述測量組件與所述芯體之間；其中，所述一級減振墊的硬度二級減振墊的硬度三級減振墊的硬度。還提供了一種慣性組合導航系統包括上述的慣性測量單元。
本發明授權抗高過載MEMS慣性測量單元和慣性組合導航系統在權利要求書中公布了：1.一種抗高過載MEMS慣性測量單元，其特征在于，包括： 外殼，內部設有容納腔；所述外殼包括殼體和蓋板，所述蓋板蓋設在所述殼體上側，與所述殼體固定連接，在所述殼體內形成所述容納腔； 一級減振組件，包括若干一級減振墊，若干所述一級減振墊間隔設在所述外殼外側底部，與所述外殼連接； 芯體，設在所述容納腔內，與所述容納腔內壁間隔設置； 二級減振組件，包括若干二級減振墊，若干所述二級減振墊，間隔設在所述芯體和所述容納腔內壁之間，用來支撐所述芯體； 測量組件，與所述芯體連接，用來測量數據；以及 三級減振組件，包括若干三級減振墊，所述三級減振墊夾設在所述測量組件與所述芯體之間； 其中，所述一級減振墊的硬度二級減振墊的硬度三級減振墊的硬度，所述一級減振墊的硬度為70～80度，所述二級減振墊的硬度為50～60，所述三級減振墊的硬度為25～35度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人河北美泰電子科技有限公司，其通訊地址為：050000 河北省石家莊市鹿泉區美泰路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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