西安理工大學井凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安理工大學申請的專利具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116301158B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310288397.8,技術領域涉及:G05F1/56;該發明授權具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源是由井凱;賈楊鵬;曹家博;王鳳娟設計研發完成,并于2023-03-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源在說明書摘要公布了:本發明公開的具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源,包括全差分斬波主運算放大器A1、單端輸出輔助運算放大器A2、頻率補償與低通濾波器模塊、帶隙基準核心電路。電路既消除了運算放大器的失調電壓,也降低了帶隙基準電壓源由于運算放大器增益不足產生的增益誤差,進而大幅提高了帶隙基準輸出電壓的精度。
本發明授權具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源在權利要求書中公布了:1.具有負反饋環路失調消除機制的低失調帶隙基準電壓源,其特征在于,所述帶隙基準電壓源的電路包括全差分斬波主運算放大器A1、單端輸出輔助運算放大器A2、具有消除高頻失調電壓和噪聲的頻率補償與低通濾波器模塊以及帶隙基準核心電路; 所述帶隙基準核心電路包括P型MOS管MP1、MP2,PNP雙極型晶體管Q1和Q2,電阻R1、R2和R3;所述晶體管Q1和Q2的基極與集電極都連在一起,所述晶體管Q1和Q2的集電極接在GND;所述晶體管Q1的發射極分別連接所述全差分斬波主運算放大器A1的N1端口和所述電阻R1的一端,所述電阻R1另一端分別連接所述MOS管MP1的漏極和VREF端口;所述晶體管Q2的發射極與所述電阻R3連接,所述電阻R3另一端分別連接所述全差分斬波主運算放大器A1的P1端口和所述電阻R2,所述電阻R2的另一端連接所述MOS管MP2的漏極;所述MOS管MP1和MP2的源極連接VDD,所述MOS管MP1和MP2的柵極連接所述單端輸出輔助運算放大器A2的OUT輸出端口; 所述全差分斬波主運算放大器A1包括P型MOS管MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14、MP15、MP16,N型MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5,斬波器1和斬波器2;所述MOS管MP3、MP7、MP8、MP11和MP12的源極連接VDD,所述MOS管MN3、MN4和MN5的源極連接GND,所述MOS管MP13和MP16的漏極連接GND;所述MOS管MP3、MP7、MP8、MP11、MP12的柵極連接偏置電壓BIAS1,所述MOS管MP4、MP9、MP10的柵極連接偏置電壓BIAS2,所述MOS管MN1、MN2的柵極連接偏置電壓BIAS3,所述MOS管MP14、MP15的柵極連接共模電壓VCM;所述MOS管MP3的漏極連接所述MOS管MP4的源極,所述MOS管MP4的漏極連接所述MOS管MP5和MP6的源極,所述MOS管MP5的柵極經過所述斬波器1后連接到P1端口,所述MOS管MP6的柵極經過所述斬波器1后連接到N1端口,所述MOS管MP5的漏極連接所述MOS管MN4的漏極,所述MOS管MP6的漏極連接所述MOS管MN3的漏極;所述MOS管MP7的漏極連接所述MOS管MP9的源極,所述MOS管MP9的漏極連接所述MOS管MN1的漏極,所述MOS管MN1的漏極經過所述斬波器2后連接到正輸出端口,所述MOS管MN1的源極連接所述MOS管MN3的漏極;所述MOS管MP8的漏極連接所述MOS管MP10的源極,所述MOS管MP10的漏極連接MOS管MN2的漏極,所述MOS管MN2的漏極經過所述斬波器2后連接到負輸出端口,所述MOS管MN2的源極連接所述MOS管MN4的漏極;所述MOS管MP11的漏極連接所述MOS管MP13和MP14的源極,所述MOS管MP12的漏極連接所述MOS管MP15和MP16的源極;所述MOS管MP14和MP15的漏極連接所述MOS管MN5的漏極和柵極;所述MOS管MP13和MP16的柵極分別連接所述MOS管MN1和MN2的漏極;所述MOS管MN5的柵極連接所述MOS管MN3和MN4的柵極;所述全差分斬波主運算放大器A1的P1端口和N1端口分別與所述單端輸出輔助運算放大器A2的P3端口和N3端口相連,所述全差分斬波主運算放大器A1的負輸出端口和正輸出端口分別與所述單端輸出輔助運算放大器A2的N2端口和P2端口相連; 所述單端輸出輔助運算放大器A2包括P型MOS管MP17、MP18、MP19、MP20、MP21、MP22、MP23、MP24、MP25、MP26,N型MOS管MN6、MN7、MN8、MN9;所述MOS管MP17、MP18、MP21、MP25的源極連接VDD,所述MOS管MN8、MN9的源極連接GND;所述MOS管MP21、MP25的柵極連接偏置電壓BIAS1,所述MOS管MP20、MP22、MP26的柵極連接偏置電壓BIAS2,所述MOS管MN6、MN7的柵極連接偏置電壓BIAS3,所述MOS管MN8、MN9柵極連接偏置電壓BIAS4;所述MOS管MP21的漏極與MP22的源極連接,所述MOS管MP22的漏極與所述MOS管MP23和MP24的源極連接,所述MOS管MP23的柵極與P3端口連接,所述MOS管MP24的柵極與N3端口連接,所述MOS管MP23的漏極與所述MOS管MN8的漏極連接,所述MOS管MP24的漏極與所述MOS管MN9的漏極連接;所述MOS管MP17的漏極與MP19的源極連接,所述MOS管MP19的漏極與所述MOS管MN6的漏極連接,所述MOS管MP17的柵極連接所述MOS管MN6的漏極,所述MOS管MN6的源極連接所述MOS管MN8的漏極;所述MOS管MP18的漏極連接MP20的源極,所述MOS管MP20的漏極連接所述MOS管MN7的漏極和OUT輸出端口,所述MOS管MN7的源極連接MN9的漏極;所述MOS管MP25的漏極連接MP26的源極,所述MOS管MP26的漏極連接MOS管MP27的源極和MOS管MP28的源極,所述MOS管MP27的柵極與N2端口連接,所述MOS管MP28的柵極與P2端口連接,所述MOS管MP27的漏極連接MN9的漏極,所述MOS管MP28的漏極連接MN8的漏極;所述單端輸出輔助運算放大器A2的N2端口和P2端口分別連接所述頻率補償與低通濾波器模塊的CN端口和CP端口,所述單端輸出輔助運算放大器A2的OUT輸出端口連接所述頻率補償與低通濾波器模塊的COUT端口。
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