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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法和焊盤結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111106086B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201811260458.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/488；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法和焊盤結(jié)構(gòu)是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-10-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法和焊盤結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供金屬層；在所述金屬層上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層形成開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤；在所述保護(hù)層靠近所述開口的側(cè)壁形成斜面，所述斜面延伸面與所述金屬層所在平面具有第一夾角；其中，在形成所述開口的同時(shí)在所述保護(hù)層的開口區(qū)域周圍形成若干孔洞，再通過熱回流方法，使所述孔洞坍塌內(nèi)縮，從而在所述開口的側(cè)壁形成斜面；在所述開口中形成焊球并向外延伸出引線。本發(fā)明還提供一種焊盤結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在保護(hù)層靠近開口的側(cè)壁形成斜面，可使引線平緩地越過保護(hù)層，從而降低引線的應(yīng)力，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法和焊盤結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法，包括： 提供金屬層； 在所述金屬層上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層形成開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤，所述保護(hù)層包括鈍化層和位于所述鈍化層之上的隔離層；所述鈍化層為硅的氧化物層和硅的氮化物層的組合，所述硅的氧化物層形成于所述金屬層之上，所述硅的氮化物層形成于所述硅的氧化物層之上；所述隔離層為聚酰亞胺薄膜； 在所述保護(hù)層靠近所述開口的側(cè)壁形成斜面，所述斜面延伸面與所述金屬層所在平面具有第一夾角； 其中，在形成所述開口的同時(shí)在所述保護(hù)層的開口區(qū)域周圍形成若干孔洞，所述孔洞的深度相同或從所述開口向兩側(cè)呈遞減趨勢，所述孔洞的深度不少于所述保護(hù)層厚度的12，再通過熱回流方法，使所述孔洞坍塌內(nèi)縮，從而在所述開口的側(cè)壁形成斜面； 在所述焊盤上形成焊球并向外延伸出引線。

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