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龍圖騰網獲悉微集電科技(蘇州)有限公司申請的專利一種MEMS紅外光源的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116040574B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211326807.5，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種MEMS紅外光源的制造方法是由劉軍林;呂全江;侯海港;劉桂武;喬冠軍;郝俊操;夏松敏;陳杰設計研發完成，并于2022-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS紅外光源的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于光電技術領域，具體涉及一種MEMS紅外光源的制造方法。該制造方法用于制造一種襯底和支撐層之間含有特殊空腔和反射層的MEMS紅外光源。包括如下步驟：（1）襯底的掩膜處理；（2）腐蝕窗口制備；（3）各向異性腐蝕；（4）反射層制備；（5）一次拋光；（6）犧牲層制備；（7）二次拋光；（8）支撐層制備；（9）發熱電極層制備；（10）發熱電極焊盤制備；（11）紅外發射層制備；（12）犧牲窗口制備；（13）犧牲層去除。工藝原理是：先蝕刻凹坑，再用犧牲層填平凹坑，然后在平面上生成各功能層，最后開設連通凹坑的犧牲窗口，去除犧牲層，完成產品制造。本發明生產的產品可以解決現有MEMS紅外光源光電轉換效率不高、產品良率低等問題。

本發明授權一種MEMS紅外光源的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS紅外光源的制造方法，其特征在于：其用于制造一種襯底和支撐層之間含有空腔和反射層的MEMS紅外光源；所述制造方法包括如下步驟： （1）襯底的掩膜處理： 提供襯底，在所述襯底的待加工面上沉積預設量的掩膜層的材料，構成所需的腐蝕掩膜層； （2）腐蝕窗口制備： 按照預設的窗口尺寸和形狀，利用光刻技術去除待加工面上的部分掩膜層以在襯底上形成腐蝕窗口；所述腐蝕窗口下方露出的區域為需要進行腐蝕的襯底區域； （3）各向異性腐蝕： 通過各向異性腐蝕的工藝對所述襯底進行化學腐蝕，以在所述襯底中的所述腐蝕窗口區域形成向襯底內部凹陷且口徑逐漸縮小的凹坑； （4）反射層制備： 采用物理氣相沉積工藝在所述襯底表面的凹坑中沉積預設量的反射層材料，構成所需的反射層； （5）一次拋光： 對襯底的待加工面進行拋光處理，去除襯底表面除凹坑以外的其它區域的表面鍍層，包括腐蝕掩膜層材料和反射層材料； （6）犧牲層制備： 在所述襯底中的凹坑中填充可通過任意一種手段選擇性移除的犧牲層材料； （7）二次拋光： 對填充有所述犧牲層材料的襯底的待加工面進行二次拋光處理，以使得凹坑中的犧牲層材料與周圍的襯底表面保持齊平； （8）支撐層制備： 在襯底中含有犧牲層一側的表面生成所需的支撐層，所述支撐層完整覆蓋下方的襯底和犧牲層； （9）發熱電極層制備： 在支撐層表面制備所需的發熱電極層，所述發熱電極層位于對應襯底中凹坑上方的位置；所述發熱電極層的左右兩側完整覆蓋凹坑，前后兩側位于相對凹坑內側的區域，未覆蓋凹坑； （10）發熱電極焊盤制備： 在所述發熱電極層上方制備兩條相互平行的不超過發熱電極層分布區域的長條狀的發熱電極焊盤；其中，兩條所述發熱電極焊盤的分布區域與所述凹坑上口的圍合區域相離或外切； （11）紅外發射層制備： 在所述發熱電極焊盤內側的發熱電極層上方制備所需的紅外發射層；所述紅外發射層位于所述發熱電極焊盤四個端點的連線區域內； （12）犧牲窗口制備： 通過光刻技術對支撐層材料進行蝕刻，在不破壞上方的發熱電極層和紅外發射層的基礎上，選擇相應的區域加工出至少一個貫穿的犧牲窗口，以露出下方凹坑中的犧牲層材料； 犧牲窗口的開設區域既位于犧牲層上方又與發熱電極層的分布位置相切或相離； （13）犧牲層去除： 根據選擇的犧牲材料的特異性，采用能夠定向腐蝕犧牲層材料的溶劑或溶液選擇性去除凹坑內的填充的所有犧牲層材料，以形成所需的空腔結構；進而制備出所需的MEMS紅外光源。

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